工艺参数对碳纳米管取向生长的影响

采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,H2和Ar作为载气,制备了定向碳纳米管阵列;考察了工艺参数对碳纳米管取向生长的影响。结果表明:在二茂铁/二甲苯溶液进入反应室的温度为310℃,H2和Ar总流速为120mL/min,抛光硅基底上容易获得定向碳纳米管阵列。     

不同铝掺杂量ZnO薄膜性能的研究

以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响;同时,研究铝掺杂量不同、电阻率相同的AZO薄膜的载流子浓度与迁移率的关系。结果表明:随着Al掺杂量的增加,薄膜最佳性能(透过率90%,电阻率6×10-4Ω·cm左右)时的衬底温度值会降低;电阻率相同的样品,1%铝掺杂的薄膜迁移率和透光率均高于2%铝掺杂薄膜的。