连续波模式下超导加速器束流负载分析研究

本工作推导了超导加速器在连续波模式时,在点电荷近似条件下,相对论束流负载与腔的相互作用过程的解析表达。同时对北京大学超导加速器平台(PKU SCAF)的束流负载设计进行了初步分析。计算结果表明,当主加速器馈入功率为10kW时,最佳束流负载为1 5mA,此时电子增能为6 6MeV,β因子为4 5×103。     

CdS薄膜的制备及其在CdTe电池中的应用

CdTe薄膜电池是发展最快、应用前景最好的一类太阳能电池。CdS层是CdTe电池的窗口层材料,其薄膜质量直接影响电池的转换效率。本文介绍了化学水浴沉积(CBD)和闭空间升华(CSS)两种方法沉积CdS薄膜,并完成单电池器件的制备和测试。CSS方法制备的薄膜结晶较大,光学和电学性能好于CBD方法制备的薄膜,太阳能电池的光电转换效率达到10.9%。CSS方法镀膜速度快,真空环境工作,有利于大规模产业化应用。     

以溅射为主的叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜

本文采用基于溅射为主的四元叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜.分别利用SEM与EDX对四元叠层这一新方法制备的薄膜进行微观结构分析与成分分布分析.结果发现,在采用四元叠层发制备CIGS薄膜中,提高衬底温度,控制Se源温度即控制预置层中Se的含量可以有效的改善薄膜的微观结构,对已经制备完毕的薄膜进行二次退火,不但可以获得比较好的微观结构,同时还可以有效的控制Ga在薄膜内部沿深度方向的分布.     

铜铌溅射超导四分之一波长谐振空的研究

建立了一套直流溅射系统以及其它辅助装置,溅射参数控制,测量了腔的超导性能和铌膜的特性。     

铜铟硒薄膜的外延生长和表面重构及其电池性能研究

在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上, 通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法, 分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶CIS薄膜. 系统考察了CIS薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构, 发现了这些CIS外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的CIS(112)晶面, 结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性. 通过各种衬底下不同结晶取向的CIS薄膜的太阳能电池组装, 发现当CIS薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高, 说明可通过控制CIS薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底, 增加吸收层(220/204)的结晶取向, 从而显著提高CIS薄膜太阳电池的光电性能.     

高增益自由电子激光光阴极注入器驱动激光系统设计考虑

高增益自由电子激光对电子束团提出了高品质要求 ,只有光阴极微波电子枪能够达到这一目标。光阴极微波电子枪的驱动激光器是这一系统的关键之一。北京大学重离子物理研究所设计的驱动激光系统的指标是提供 2 6 0nm、6～ 8ps宽、5 0 0 μJ的激光脉冲。系统主要由半导体泵浦的钛蓝宝石振荡器、Nd∶YAG调Q泵浦源、再生式放大器、倍频器等组成。系统中采用了腔长调整锁模技术以及相位稳定反馈装置 ,目的是使激光脉冲的时间抖动小于 1 0 ps。     

氧分压对TiO2膜结构与光学性质的影响

报道了用反应溅射法制备TiO2 膜的实验研究 .详细研究了膜的沉积、膜结构及其光学性质 ,随溅射氧分压的变化 .随氧分压由 6× 10 - 2 Pa增加到 9× 10 - 2 Pa时 ,晶体结构由金红石变到锐钛矿 ,氧分压超过 9× 10 - 2 Pa时趋向于无定形结构 .与膜结构密切相关的折射率n随氧分压的增大由 2 .4 4变到 1.96 ,禁带宽度Eg 则由大变小 ,然后再增大的变化 (3.4 1→ 3.2 6→3.4 2 ) .     

永磁镜场边引出PIG离子源

本文介绍永磁镜场边引出PIG离子源的结构、磁场设计和实验结果。用H_2、BF_3、N_2或Ar作放电气体,在弧功率50～150W情况下,引出总束流大于1.0mA。其中H_1~ 和B_(11)~ 的比例分别达到90％和50％;得到的最高电荷态离子有B_(11)~(3 ),N~(5 ),Ar~(6 )。     

离子束ns脉冲测量用可变栅距同轴靶

本文讨论了影响同轴靶响应的诸因素以及在离子束ns脉冲测量用同轴靶的设计中的主要问题。在此基础上制成了一个具有可变栅距结构的同轴靶。该靶适用于速度在宽范围内变化的各种离子,曾成功地用于测量β=v/c值低至6.5×10~(-4)的Ar~(+)束脉冲。该靶同轴结构的上升时间约为0.2 ns,曾用其观测到半高宽约为1ns的质子束脉冲。