600MW汽轮机单阀切顺序阀运行解决方案

我厂两台600MW机组一直存在单阀切顺序阀运行问题,对机组的效率影响较大。经过不断探索研究,找到了一条有效的解决方案,优化了调阀开启顺序和重叠度,改造后试验效果良好,经济效益显著,在同类机组中具有较高的推广应用价值。     

井下粉尘多参数检测的自适应方法

为提高井下粉尘计重含量检测精度并同时获得粒度分布参数,根据井下粉尘衍射光的角谱特征,提出了一种适合于在单片机上运行的算法。首先将衍射光角谱归一化,使得不同浓度但粒度分布相同的尘样具有相同的归一化角谱,而该角谱与给定模式的角谱的贴近程度则用差值平方和表征。由几个优选模式求得的计重含量或粒度分布取加权平均即可获得待求参数。考虑到现场环境中噪声抑制能力和对尘样多样性的适应能力至关重要,本文中最后给出了针对这两个方面的仿真实验结果。     

有对重提升系统设备容量的修正计算

首先对有对重的提升系统进行了力学分析,得出了加速阶段由于惯性的作用电动机必须提供的附加力矩。然后讨论了加速阶段电动机的力矩、功率、转速的变化规律,在此基础上提出了上述电力拖动系统电气设备容量计算的修正方案。     

偏光式角位移传感器

本文提出一种利用线偏振光的角位移传感器.其角分辨力优于10＂,具有结构简单、造价低廉、易于校准、性能稳定可靠等优点.无需制作精密的机械分度部件,无需精密的光路设计.讨论了单片机支持下抑制光源与光探测器温漂、时漂的对策及信号处理中的主要问题.     

9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目 标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。     

一种高精度锁定放大电路

锁定放大是一种用于从干扰噪声中分离出小的窄带信号的技术,锁定放大器起着检测器和窄带滤波器的双重作用。当已知信号的频率和相位时,就可以在大量的非相关噪声中检测出该微弱信号。这是介绍用ＡＤ６３０组成的锁定放大电路,其结构简单,精度高,性能稳定可靠。ＡＤ６...     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀

试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ,ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ,最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。