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利用电子回旋共振(ECR)微波等离子体,在CH4/H2体系下,对高温高压单晶金刚石表面进行了碳纳米墙修饰。通过等离子体发射光谱研究ECR等离子体内基团的谱线强度在不同工作气压、CH4浓度下的变化规律,结合扫描电子显微镜对单晶金刚石表面的微观形貌进行分析,进一步研究了工作气压和CH4浓度对碳纳米墙修饰结果的影响。结果表明:碳纳米墙的取向性受工作气压影响大,低气压(0.07 Pa)条件下生长的碳纳米墙垂直取向明显,金刚石表面也出现垂直刻蚀形貌;在高气压(5 Pa)条件下生长的碳纳米墙取向性较差。同时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度也与工作气压有关:低气压条件下碳纳米墙生长的临界CH4浓度高,工作气压为0.07 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度为3%;工作气压升至5 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度降为1%,碳纳米墙密度随CH4浓度升高而增大。 相似文献
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电子方舱舱内热环境仿真分析 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了电子方舱系统的总体布局方案,对方舱热源进行分析,提出了传热问题,并给出了解决方案。借助Icepak软件,对方舱系统舱内热环境建模,仿真分析方舱总体布局设计方式下,舱内热环境能否满足电子设备通风冷却要求,同时兼顾操作人员的热舒适性。仿真计算表明,以Icepak软件为工具开展的系统热仿真工作,对结构总体设计能够发挥较好的理论支撑与指导作用。 相似文献
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为了提高高校中水的处理与回用率,首次提出了优质中水的沉淀-SOBMR-过滤原位处理系统模式,并设计和制作了处理设备进行试验验证。结果表明;该设备能够实现无动力、自动化运行,尤其适合于盥洗和洗浴废水的处理。设备处理出水满足杂用水水质对BOD5、SS、NH4-N要求,可用于冲厕和杂用。每套处理装置可节约水资源151.2m^3/年,设备投资回收期为2.01年。 相似文献
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报道了用提拉法在KNbO3-KTaO3固熔体体系中生长立方相KTa10xNbxO3晶体。实验采用两种不同的原始配料生长晶体:即生长组分分别为KNbO3:KTaO3(摩尔分数)=0.35:0.65和0.45:0.55,分别得到x=0.14和0.19的KTN晶体,晶体尺寸可达厘米级。分析了晶体的形态特征和宏观缺陷并讨论了各种缺陷的形成机制;利用JXA-8800电子探针技术测定了晶体组分;讨论了影响晶体生长的多种条件。发现温场和提拉速度是影响KTN晶体生长和质量的主要因素。 相似文献
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目的 为了优化单晶金刚石大批量生长的等离子体环境,研究高功率微波等离子体环境对单晶金刚石外延生长层的影响。方法 利用实验室自主研发的915 MHz–MPCVD装置,在20~35 kW高功率微波馈入的条件下,具体研究了高功率等离子体环境中甲烷浓度、微波功率及基片温度对单晶金刚石外延生长层的影响。利用光学显微镜、激光拉曼光谱及光致发光光谱对所生长的单晶金刚石进行形貌质量表征,利用等离子体发射光谱对高功率微波等离子体环境进行诊断。结果 在馈入25 kW的微波功率时,将甲烷的体积分数从6%下降至3%,可以使单晶金刚石更易于出现层状生长结构;保持甲烷体积分数为3%,将微波功率从25 kW提高到35 kW,可以进一步优化单晶金刚石生长的层状结构,提高单晶金刚石的生长质量和生长速率;保持微波功率为35 kW,当甲烷体积分数为3%时,将基片温度从800℃提高到1 210℃可以明显提高单晶金刚石的生长速率,但会易于引入非金刚石相;保持甲烷体积分数为3%,将微波功率提高到35 kW,可以在等离子体中激发更多有利于金刚石快速生长的含碳活性基团;当微波功率为35 kW、甲烷体积分数为3%、基片温度为950℃时... 相似文献
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利用无容器技术制备了(La0.94-xEr0.06Ybx)(Ti0.95Zr0.05)2.25O6(x=0~0.24, 间隔0.04)球状透明玻璃, 其稀土离子掺杂浓度最大值达到30%。通过DTA分析发现, 玻璃具有很好的热稳定性, x=0时玻璃化转变温度Tg和析晶起始温度To分别为818℃和906℃, ΔT(ΔT= To-Tg)为88℃, 玻璃形成能力较低。随着Yb3+浓度提高, Tg、To和ΔT逐渐下降, 说明Yb3+降低了玻璃的热稳定性和形成能力。利用紫外可见分光光度计测定了样品的吸收/透过光谱, 玻璃在975 nm具有很强的吸收峰, 表明Yb3+可以有效提高玻璃对入射光的吸收强度; 在可见光范围内除特征吸收外具有近70%的透过率, 说明玻璃具有良好的透可见光性能, 有望获得高强上转换发光输出。上转换荧光光谱研究表明: 在980 nm激光泵浦下, 获得了中心位于535、554和672 nm处的绿、红发光带, x=0.16的发光最强, 672 nm处的红光强度是x=0的近130倍。上转换发光强度与泵浦功率关系的分析表明: 535、554 nm处的绿光和672 nm处的红光发光均是双光子发光过程。 相似文献
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采用脉冲激光沉积的方法, 在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长Bi5Ti3FeO15 (BTFO15)多铁性薄膜, 并对其结构、磁性、铁电性、铁电畴等进行了研究。通过X射线衍射、扫描电镜以及高角环形暗场像-扫描透射电镜测试, 结果表明, 薄膜具有高结晶度和完美层状晶格结构, 两层Bi原子层紧密堆积, 两层Bi2O2之间有三层Bi层和三层Ti(Fe)O6八面体层, 构成三明治结构; 在室温下的磁滞回线和电滞回线证实了弱铁磁性和铁电性的共存; 采用压电响应力显微镜研究了薄膜的畴结构, 在面内和面外分别施加±3 V和±10 V的电压, 观测到了畴反转。这些研究结果对理解多铁性材料的微观结构和宏观特性的相互调制有重要意义。 相似文献