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用金属有机物分解法制备了钛酸铅薄膜。研究了成膜的技术条件。一次甩胶可以获得厚约0.1μm均匀、无开裂、无针孔的薄膜,较厚的膜可通过多次甩胶得到。X射线衍射证实,经700℃热处理后,膜呈现四方钙钛矿的单相结构。Rutherford背散射表明,即使在多次甩胶制得的膜中,组份的厚度分布也是均匀的。 相似文献
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sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well (QW) p-MOSFETs with HfO2/TiN gate stack were fabricated and characterized. According to the low temperature experimental results, carrier mobility of the strained Si0.5Ge0.5 QW p-MOSFET was mainly governed by phonon scattering from 300 to 150 K and Coulomb scattering below 150 K, respectively. Coulomb scattering was intensified by the accumulated inversion charges in the Si cap layer of this Si/SiGe heterostructure, which led to a degradation of carrier mobility in the SiGe channel, especially at low temperature. 相似文献
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在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景. 相似文献
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本文采用SIMS、TEM、RB等测试手段,分析了注入剂量改变对SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响,研究结果表明,注入剂量低至0.6x1018O+/cm2时,经过1300℃,6小时的高温退火过程,能形成界面清晰的三层结构,得到高结晶度的表面硅层,埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛;标准注入剂量(1.8x1018O+/cm2)形成的SIMOX材料表层硅出现明显的缺陷,分析结果表明,注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留,成为最终材料表面缺陷的原因之一;形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。 相似文献
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本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍有大量的二次缺陷.退火前附加一次MeVSi离子轰击可以有效地消除BF2注入区内的二次缺陷,抑制B原子的扩散,并提高B原子的电激活率. 相似文献
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在大剂量氧注入硅形成SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO2内的快速扩散等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂 相似文献
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