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采用熔融法结合放电等离子烧结(SPS)技术合成了P型填充方钴矿化合物Sr0.5Co4-xFexSb12,并研究了Fe掺杂对该化合物高温热电性能的影响。采用X.射线衍射(XRD)及电子探针(EPMA)表征了化合物的物相及化学成分,在300~850K温度范围内测试了化合物的电导率、赛贝克系数和热导率,采用Vande Pauw方法测试了化合物的室温载流子浓度。实验结果表明,化合物的主要相组成为Sr0.5Co4-xFexSb12方钴矿相,同时含有少量FeSb2和CoSb2杂质相。化合物的赛贝克系数均为正值,表明为空穴导电。随着Fe掺杂量的增加,化合物的载流子浓度及电导率增加,赛贝克系数降低,晶格热导率降低,最小室温晶格热导率为1.97 Wm^-1K^-2。对于化合物Sr0.5Co2.32Fe1.68Sb12在850K时获得的最大热电性能指数ZT约为0.60。 相似文献
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采用熔融法制备了P型填充式方钴矿化合物Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),并研究了Co位Fe掺杂对该化合物热电传输特性的影响.在300~850 K的温度范围内,测试了化合物的电导率、赛贝克系数和热导率.结果表明,化合物的主要相组成为Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),EPMA结果显示化合物中含有微量FeSb_2和CoSb_2杂质相.化合物的赛贝克系数均为正值,表明为p型半导体.随着Fe掺杂量的增加,化合物的电导率增加,晶格热导率降低,最小室温晶格热导率仅为1.33 W·m~(-1)K~(-1),对于化合物Yb_0.29Fe_1.2Co_2.8Sb_(12),在800 K时获得最大热电优值ZT约为0.67. 相似文献
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采用熔融法合成了Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,并研究了Ni掺杂对该化合物的高温热电性能的影响.实验结果表明:由于Ni向Skutterudite结构中提供电子。导致化合物的载流子浓度和电导率随Ni置换量的增加而增加,Seebeck系数为负值,Seebeck系数的峰值温度随Ni置换量的增加向高温方向移动;Ni置换引入了电子-声子散射,导致晶格热导率降低.对于Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,得到的最大热电性能指数ZT约为0.55. 相似文献
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采用熔融法结合放电等离子烧结技术制备了Eu填充式方钴矿化合物EuyCO4Sb12,研究了退火时间对Eu填充量及化合物热电性能的影响.采用X射线衍射和电子探针表征了化合物的相组成及成分.在300~850 K,测试了化合物的电导率、热导率和Seebeck系数,结果表明:随着退火时间的延长,Eu在CO4Sb12中的填充量增加,电导率增加,晶格热导率降低,Seebeck系数降低;当退火时间为96h时,Eu填充量达到0.43,与名义组分相同经168 h退火所得化合物的Eu填充量相近. 相似文献
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采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物, 并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响. 采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分, 并测试了材料的高温热电性能. 实验结果表明, 虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量, 但是与具有相近Sr填充量的基体相比, Te掺杂提高了材料的载流子浓度和电导率, 同时也提高了塞贝克系数; Te掺杂由于引入了电子-声子散射, 进一步降低了材料的晶格热导率, 并且随着Te掺杂量的增加, 晶格热导率的降低幅度提高; 对x=0.05的样品Sr0.18Co4Sb11.95Te0.05, 在850K时, 材料的最大ZT值接近1.0, 与具有相近填充量的基体材料相比, ZT值提高了35%. 相似文献
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