以Zn(BTZ)_2∶rubrene为发光层的一种新型白色有机电致发光液晶显示背光源

制备了以Zn(BTZ)2∶rubrene为发光层的5种白色有机电致发光器件,并将其应用于液晶显示背光源。5种器件色度最好时的CIE坐标值为(0.32,0.33),最大有效发光面积达到3 cm×3 cm,此时器件的平均亮度达到264 cd/m2,亮度均匀性达到80%。并且分析了随器件有效发光面积增大,发光均匀性、亮度以及最大量子效率减小而器件电流密度反而增大的原因。同时发现附加金属(Ag)辅助电极在一定程度上有助于提高器件的性能。最后将所制备的5种器件与液晶显示屏相匹配,它们均基本满足液晶显示对背光源的要求。     

CH3NH3PbI3晶体的晶轴对其光电性能的影响

通过逆温结晶的方法制备了CH_3NH_3PbI_3单晶,用扫描电子显微镜观察晶体形貌、X射线粉末衍射仪测量晶体结构、拉曼光谱仪测量晶体光谱。此外,通过X射线单晶衍射仪确定了晶面方向,分别沿平行和垂直于晶体c轴方向对晶体进行切割,经打磨、抛光后在其对应的晶面上蒸镀电极进而制备出基于CH_3NH_3PbI_3单晶的光探测器。采用不同波长和偏振方向的激光照射光探测器的受光面后,测试了器件的光电特性。实验结果表明,当激光的电场分量E平行于晶体的晶轴时光探测器的光电流密度比电场分量E垂直于晶轴时(垂直样品)的光电流密度大两个数量级。通过计算得到,激光的电场分量E平行于晶体晶轴时,光探测器的光响应度(R)是垂直样品的58倍、光暗电流比(P)的10倍和外量子效率(EQE)的66倍。发现CH_3NH_3PbI_3单晶的晶轴对晶体的光电性能影响很大。     

掺杂TBPe的单一发光层白色OLEDs研究

以聚合物poly（N-vinylcarbazole）（PVK）为主体材料,分别掺入蓝光染料2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene（TBPe）和橙黄光染料5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene（Rubrebe）,制成单层白色有机电致发光器件（WOLED）。通过多组实验结果的对比,最终确定了最佳染料掺杂浓度和器件结构,得到最佳色举标为（0．33,0．38）,已位于该坐标的白色等能区之内,且随着外加电压由8V增加到16V,色坐标保持不变。器件的亮度为553cd／m^2,外量子效率为0．16％。     

用于液晶背光源的双层掺杂白光OLED

制备了一种双层掺杂的白光有机电致发光器件(OLED),其中BAlq:TBPe掺杂层发蓝光,Zn(BTZ)2:Rubrene掺杂层发橙色光.器件在驱动电压5 V时就能发出白光,且在驱动电压5～15 V内色坐标变化较小,均在白光色域区,在15 V时亮度达到8 572 cd/m2,在电流密度50 mA/cm2时量子效率最高达到0.9%.对该白光OLED的发光和电学性能以及发光机理进行了深入的研究和探讨,进而制备了应用于液晶显示(LCD)背光源的近白光OLED,有效面积达到3 cm×3 cm,在10 V时平均亮度达到～1 300 cd/m2,发光亮度均匀性为90%,色度均匀性较好,很好地符合了LCD对背光源的要求.     

以Zn(BTZ)2:rubrene为发光层的一种新型白色有机电致发光液晶显示背光源

制备了以Zn(BTZ)2 rubrene为发光层的5种白色有机电致发光器件,并将其应用于液晶显示背光源.5种器件色度最好时的CIE坐标值为(0.32,0.33),最大有效发光面积达到3 cm×3 cm,此时器件的平均亮度达到264 cd/m2,亮度均匀性达到80 %.并且分析了随器件有效发光面积增大,发光均匀性、亮度以及最大量子效率减小而器件电流密度反而增大的原因.同时发现附加金属(Ag)辅助电极在一定程度上有助于提高器件的性能.最后将所制备的5种器件与液晶显示屏相匹配,它们均基本满足液晶显示对背光源的要求.     

离子束和等离子体对聚醚型聚氨酯表面的联合影响

首先采用等离子聚合法使六甲基二硅氧烷沉积于聚醚型聚氨酯表面，再利用硅离子以不同的剂量时表面进行轰击。结果表明：在2×10(15)cm(-2)剂量下注入使材料表面的凝血时间从6分钟提高到16．8分钟，同时表面浸润性也明显改善，而且这些性能的变化要比单纯注入的更稳定和更有规律。X射线光电子能谱分析表明：离子束和等离子体的联合处理不仅打断了表面的一些化学键，而且在表面形成了诸如Si-N，O-Si-O基团以及硅原子。这些结构上的变化会影响生物医学性能。     

Zn(BTZ)2发光层厚度对白色电致发光器件发光光谱的影响

制备了结构为ITO／TPD／Zn（BTZ）2Al的有机电致发光（EL）器件，经测试发现，Zn（BTZ）2发光层厚度对器件EL光谱有较大影响。当Zn（BTZ）2层厚度分别被控制在50和80nm时，EL谱中都只有1个峰，其峰值分别为580和470nm；当Zn（BTZ）2层厚度被控制在50～80nm时，EL谱同时出现470和580nm的2个峰，且它们的相对发光强度与Zn（BTZ）2层厚度也有关系，随着Zn（BTZ）2层厚度越接近80nm（或50nm）时，EL谱峰值为470nm的光就相对越强（或弱），峰值为580nm的光就相对越弱（或强）。通过调整Zn（BTZ）2层厚度，在65nm左右时得到色度较好的白光器件，其色坐标为（0．33，0．33）。为了研究器件的光致发光（PL）谱，制备结构为TPD／Zn（BTZ）2的有机薄膜，经测试发现，薄膜PL谱与Zn（BTZ）2层厚度无关，其光谱峰值在480nm处，与相关文献报道一致。对上述现象进行了分析。     

A new method to characterize the metallic-oxide films for grayscale lithography

In order to characterize the metallic-oxide grayscale films fabricated by laser direct writing (LDW) in indium film, a new method with micro-Raman spectroscopy and atomic force microscope (AFM) is proposed. Raman spectra exhibit the characteristic band of In2O3 centered at 490 cm -1 , in which the intensities increase with the decreasing optical density of the In-In2O3 grayscale films. The mapping information of Raman spectra shows that the signal intensities of the film in the same grayscale area are uniform. Combining with the information of In-In2O3 grayscale film from AFM, the quantitative relationship between the concentration of In2O3 and the Raman signal intensity is shown. Compared with the conventional methods, the resolution of micro-Raman scattering method is appropriate, and the scanning speed is proper to analyze the structure of metallic-oxide grayscale films.     

利用原子力显微镜制备短沟道有机场效应晶体管器件的研究

利用原子力显微镜(AFM)探针直写技术制备了短沟道并五苯有机场效应晶体管(OFET),并研究了器件性能。在SiO2/n+-Si基底上,利用AFM探针刻蚀金沟道,通过优化工艺参数,获得的沟道长约1μm,器件的场效应迁移率为0.038cm2.V-1.S-1,开关比为103,输出电流最高可达200μA。结果表明,器件性能强烈依赖于沟道长度,随着沟道长度减小,输出电流显著增加。     

有机薄膜晶体管（OTFT）的研究进展

近几年来，有机薄膜晶体管（OTFT）有了飞跃的发展，可望在某些方面与无机晶体管电子元件进行竞争。本文综述了有机薄膜晶体管的优势、材料类型、器件制作方法的最新进展，以及目前需要解决的问题。