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1.
本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550~650℃温度条件下保温2~3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。  相似文献   
2.
一、引言GaAs器件和Si器件一样,也常常需要一种钝化膜来提高器件的可靠性,或是作为杂质选择扩散的掩膜。目前GaAs器件常用的介质膜有Si_3N_4膜、SiO_2膜、Al_2O_3膜和GaAs自身氧化膜(阳极氧化、等离子氧化等) 用正硅酸乙酯热分解生成SiO_2膜和PSG膜是硅平面工艺中常用的方法,这种方法工艺简单、安全、容易控制。但在GaAs衬底上如用Si器件的热分解工艺,当分解温度为700℃—800℃时,会使GaAs表面离解,造成缺陷,影响器件的电参数。为了防止GaAs衬底的分解,我们在尽可能低的温度下,预先在GaAs衬底上淀积一层薄膜,此膜可以  相似文献   
3.
GaP/Si异质结的制备及特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用低压预处理液相外延方法在Si衬底上生长了GaP外延层.解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题.从外延层中Si的含量、固相组分的化学计量比、表面形貌等方面来比较,以Sn为生长熔体好于Ga或In.外延片表面的小平台和台阶状结构是由于晶格失配的应力场分布不均匀造成的.位错腐蚀结果证明了这种分析.LPE生长的GaP/Si片光致发光峰值波长为540nm.  相似文献   
4.
MH-Ni 电池的循环寿命研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用正交试验方法研究了MH-Ni电极的配方、导电剂、添加剂、制片压力、粘结剂等夺种工艺因素对电池循环寿命的影响,并探讨了负极配方、充放电制度、电极极化及镍电极等影响电池循环寿命的原因。研究结果表明,当采用10.0‰的导电剂、5.0‰的添加剂、CMC∶PVA=1.5∶1及5MPa的制片压力等工艺条件时,制备出的MH-Ni电池具有最好的循环寿命,经1C大电流充放电120次后电池的容量仅损失2.5‰。大电流充放电条件下电极极化、镍电极的过早失效以及电解液的大量损耗是导致MH-Ni电池循环寿命下降的主要原因。  相似文献   
5.
射频溅射Sn薄膜的工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Sn膜形成过程的影响,得到了射频溅射制备Sn膜新工艺的最佳条件。X-射线衍射及SEM实验结果表明在该工艺条件下得到的Sn膜为非常细小均匀的β-Sn的晶体结构。  相似文献   
6.
本文提出将HCl+H_2O_2+H_2O溶液系统作为GaAs晶体的择优腐蚀液,并对它的腐蚀特性进行了一些实验研究,将其应用于半导体双异质结激光器的制造工艺中得到了满意的结果.  相似文献   
7.
在电解池中,通过一个阀门的开、关不同选择方式,比较了MH/Ni电池在敞开和封闭状态时的充放电过程及其放电容量变化,并根据充放电过程中直接观察到电解地内的氧气体积量可以判断MH电极与氧气的复合活性。  相似文献   
8.
研究了贮氢电池活化工艺与电池初始容量、充放电比率、电池极化、循环寿命之间的关系。结果表明:在设计贮氢合金时适当添加预防裂纹形成和裂纹扩展的合金元素,有利于提高贮氢电池的活化性能。采用适当的活化工艺可以使贮氢电池达到最佳的放放电效率。在研究的最佳活化工艺:活化充电电流为Ic0.4C5A,活化时间为3.0h,放电电流为Id=0.2C5A,放电终止电压为1.0V,活化次数为6次,经此工艺活经的贮氢电池的容量为246.9h/g,活化时的充放电比率为89%,经过450次充放电循环后,贮氢电池的容量下降28.1%。  相似文献   
9.
影响贮氢电池性能的工艺因素   总被引:4,自引:1,他引:3  
采用正交试验方法研究了贮氢电极的配方、粘结剂、添加剂、制片压力等多种工艺因素对贮氢电池性能的影响,得到了制备贮氢电极的最佳工艺条件。结果表明制得的贮氢电池具有较好的综合性能。  相似文献   
10.
近年来半导体激光器的研制工作有了很大的进展。特别是在光导纤维通讯和光信息处理方面半导体激光器得到了越来越广泛的应用。为了有效地耦合到低损耗单模光纤中并达到易于调制的目的,实现基横模和单纵模操作是人们所期望的。因而,近年来国外对半导体激光器模式问题的研究日益增多。据文献报导,有的研究者研制了新的器件结构来实现激光器的单模运转,有的在腔面蒸抗反射膜;有的采用外腔控制;也有的采用深扩Zn的方法来稳定激光器的横模,而短腔激光器易于实现单纵模工作。为此,我们研究了不同深度扩Zn对半导体激光器模式的影响,也对短腔激光器进行了一些实验工作,初步观察到了一些现象。  相似文献   
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