MAX5481在夫兰克-赫兹实验仪中的应用

提出了一种基于数字电位器MAX5481的夫兰克-赫兹实验仪设计方案;介绍了数字电位器MAX5481的接口、控制方式及应用方案.该方案为数字电位器在模拟电路中替代机械电位器提供了借鉴.     

非晶SiOx:C薄膜的发光特性研究

采用双离子束溅射法制备了SiOx:C非晶薄膜,在室温下可观察到薄膜样品有强的420nm(紫光)、470nm(蓝绿光)的光致发光(PL).分别对样品在不同温度下退火后,PL测试显示随着退火温度的升高420nm处的峰带逐渐增强变为强的发光峰;470nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由与氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致;420nm范围的峰带可能来自于薄膜中由C单质、以及Si、O、C三者组成的一个复杂结构.     

双离子束溅射法制备SiOxNy薄膜的结构与发光

本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm（紫光）、470 nm（蓝光）的光致发光.根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理：470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷（O3≡Si-Si≡O3）,是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强.     

基于P89LPC932单片机的夫兰克-赫兹实验仪的设计

提出一种以单片机P89LPC932为核心的夫兰克-赫兹实验仪设计方案,采用12位A/D转换器件TLC2543进行数模转换,由运放OPA128组成的放大电路放大电流IP,采用数字电位器MAX5481和DS1844产生变化的UG1K、UG2K、UG2P、UF电压,还配有64 K字节E2PROM和伪USB接口.该仪器具有手工操作、自动操作以及和计算机联机操作等功能.     

基于P89LPC932单片机的夫兰克～赫兹实验仪的设计

提出一种以单片机P89LPC932为核心的夫兰克-赫兹实验仪设计方案．采用12位MD转换器件TLC2543进行数模转换,由运放OPA128组成的放大电路放大电流Ip,采用数字电位器MAX5481和DS1844产生变化的UCIK、UGK、UG2K、UG2P、UF电压,还配有64K字节E^2PROM和伪USB接口。该仪器具有手工操作、自动操作以及和计算机联机操作等功能。     

基于以太网的数据采集终端设计

具有以太网接口的数据采集终端是以太网数据采集系统的前端设备。采用嵌入式网络单片机来设计以太网接入的数据采集终端，具有结构简单、成本低、体积小、易于实现的特点。主要介绍了以8bit嵌入式网络单片机SF0020为核心，配置512KBytes程序和数据存储空间，通过与A／D转换芯片MAX1263和物理层收发器DM9161的连接，组成一款基于以太网的数据采集终端。它具有250Ksps的最高转换速度，12bit的分辨率和4个输入通道，可以在该数据采集终端基础上，方便地进行网络仪器仪表的开发。