200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究

本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术，通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求，从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标，分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响，优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料，通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析，实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性，提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。     

高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的研究

高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片式外延炉生产时又会因重掺砷衬底之间相互影响,导致相同工艺条件下外延电阻率因片数不同而存在较大差异。本文对不同外延厚度和电阻率产品的片间掺杂效应进行量化分析,确定了不同规格产品的影响幅度,其中高阻薄层产品受影响最大。此外依据自掺杂的产生机理及固体扩散理论,通过二步外延法工艺,有效降低了片间掺杂效应的影响,消除了多片炉生产时因片数不同而产生的参数差异。     

基于J2EE平台的Web GIS的设计与实现

传统的Web GIS产品由于未能解决好客户端和服务器端的负载平衡问题，大大限制了其使用范围。基于J2EE的分布式Web GIS模式能够很好地平衡两端的负载进而更好地发挥服务器和客户端的性能。通过介绍J2EE及其组件——EJB，分析Web GIS的总体架构，结合具体的Web GIS系统进行设计与分析，探讨了系统中的XML数据流技术以及JDBC连接池技术的应用，并以读取地图为实例具体描述了J2EE分布式结构的流程与核心技术的应用。随着J2EE技术的日益成熟，Web GIS必能得到更加广泛的应用。     

基于J2EE平台的Web GIS的设计与实现

传统的WebGIS产品由于未能鹪决好客户端和服务器端的负载平衡问题,大大限制了其使用范围.基于J2EE的分布式Web GIS模式能够很好地平衡两端的负载进而更好地发挥服务器和客户端的性能.通过介绍J2EE及其组件--EJB,分析Web GIS的总体架构,结合具体的Web GIS系统进行设计与分析,探讨了系统中的XML数据流技术以及JDBC连接池技术的应用,并以读取地图为实例具体描述了J2EE分布式结构的流程与核心技术的应用.随着J2EE技术的日益成熟,Web GIS必能得到更加广泛的应用.     

200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

针对硅外延加工过程及所处环境,研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢（HCl）和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因。通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率。     

高阻薄层硅外延材料研制

根据绝大多数分立器件的技术要求,常规硅外延层电阻率的数值会小于厚度的数值。介绍了一种外延层电阻率数值接近甚至大于厚度数值的高阻薄层硅外延材料的实用生产技术,即在PE-2061S桶式外延设备上,采取特殊的工艺方法,在掺砷(As)衬底上进行高阻薄层外延生长。该工艺通过控制自掺杂,改善了纵向载流子浓度分布,取得了较好的外延参数均匀性。     

高压IGBT器件用200mm硅外延材料制备技术研究

结合高压IGBT器件用200mm硅外延材料的特性要求,从表面缺陷控制、滑移线控制,以及产品电阻率纵向结构分布控制等方面,研究了外延材料制备过程中的各项工艺参数,优化了高压IGBT器件用大尺寸硅外延片的制备方法.通过研究生长温度与表面缺陷的对应性,降低了批产过程中的缺陷废片率;通过研究温场分布趋势与外延片表面滑移线的对应...