声表面波滤波器教学与学生综合能力培养的探索

针对声表面波滤波器知识点教学环节中存在的问题,本文结合本科生综合能力培养这一宗旨,将声表面波滤波器的基本原理、器件结构、器件设计等授课和实验环节,与学生的文献检索、整理,科技论文撰写,工具软件使用等综合能力培养紧密联系在一起,加深了学生对声表面波滤波器知识的掌握,提高了学生的综合能力。此外,这种综合能力的培养在一定程度上解决了其它课程学习、毕业设计中存在的不会利用文献检索工具,不会进行科技论文撰写等问题。     

基于ARM9的GPS接收机设计

本文介绍了一种基于ARM9微处理器的GPS接收机的设计。该GPS接收系统采用Zarlink公司生产的专用芯片GP2015，配合外围电路作为接收机的超小型射频前端，应用GP2021芯片和S3C2410处理器作为接收机的数字基带处理器。     

考虑加速度取值约束的跟驰模型及仿真研究

针对传统跟驰模型产生过大的加速度问题,采用可变的期望间距模型,建立了考虑加速度取值约束的微观跟驰模型。对提出的模型进行稳定性分析,得到与Bando模型不同的稳定性条件。通过仿真发现,加速度取值在一定的范围内,随着加速度的逐渐变大,滞后性曲线范围变小,交通流的稳定性增强,与稳定性分析的结果一致。当加速度取值超过合理范围时,交通流的稳定性变差。因此,考虑加速度取值约束的模型有利于维持交通流的稳定。     

用于综合评判的一种权重计算方法

在综合评判和决策过程中，属性权重的确定是其中一个重要环节。由于常用方法存在诸多缺点,为此根据信息具有粒度的思想，基于粗糙集两个近似精度来科学定义属性的重要性，并将之作为综合评判中的客观权重。此外考虑到客观经验因素，将客观扭值和主观权重相结合，最后得到有利于正确评价和决策的综合权重。流型识别仿真试验结果表明：文章提出的权重计算方法较为完备，其应用效果优于其它权重计算方法。     

Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究

研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和γ射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad(Si)的γ射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0 V和-30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。     

道路内部温湿度数据采集系统

传统道路检测方法一般只是检测道路表面的裂缝、凹陷等。为检测道路内部的状况,采用自供电无线传感网络采集道路内部温湿度数据。将整个无线传感模块用环氧树脂封装保护后埋入路内,通过自供电模块收集路面负载能量并为无线传感节点供电,收集到足够能量后传感器开始采集数据,并通过无线传感网络将采集到的数据传输到外部数据处理中心。实验结果表明,经过4个月的数据采集,埋入沥青路内的无线传感系统可以长期有效地发送数据,并通过收集到的道路温湿度数据,可以分析出当前道路结构健康状况。     

SiC肖特基栅JFET功率特性的研究

提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真。结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构可以有效降低SiC JFET的开态电阻;与常规结构的双极模式SiC JFET相比,在SiC肖特基栅JFET的栅极正偏注入载流子,同样可以有效降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性,但不会延长开关时间。     

Ti/4H-SiC SBD中子辐照效应的研究

采用1 MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应.实验的最高中子剂量为1×1015 n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33 kGy (Si).经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化;剂量达到2.5×1014 n/cm2后,观察到势垒高度下降;剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00 eV下降为0.93eV;经过常温下19 h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的.辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升;器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降.     

SiC JFET功率特性的仿真与优化

建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响。仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响;采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性。研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM)。     

基于动态遗忘因子最小二乘与EKF的电池SOC估计

电池荷电状态SOC（State Of Charge）作为电池管理系统中尤为重要的一部分,其准确估计成为锂离子电池研究的重点。为了提高动态工况下的SOC估计精度,对锂离子电池等效模型进行分析,基于AIC（赤池信息）准则确定二阶RC电路为等效电路模型,使用递推最小二乘算法对模型参数进行在线辨识,为提高辨识精度,提出了改进带动态遗忘因子递推最小二乘算法,对算法加入遗忘因子,通过电压结果误差实时动态调整算法遗忘因子取值。将递推最小二乘算法和含动态遗忘因子最小二乘算法分别与扩展卡尔曼滤波（EKF）算法进行SOC联合估计,并对比其预测效果,结果表明含有动态遗忘因子最小二乘与EKF联合估计模型具有更高的精度和鲁棒性。