加筋地基研究进展综述

综述了加筋地基的试验研究、加固机理及破坏模式等几个方面的研究成果,分析了现有加筋地基试验的难点问题以及研究成果中的不足,展望了加筋地基应用的发展趋势。     

用透过率测试曲线确定半导体薄膜的光学常数和厚度

介绍了一种简单而准确地确定薄膜光学常数和厚度的方法.借助于Forouhi-Bloomer物理模型,用改进的单纯形法拟合分光光度计透过率测试曲线,获得半导体薄膜的光学常数和厚度.对射频磁控溅射和直流反应溅射制备的玻璃基板上的α-Si和ZnO薄膜进行了实验,拟合的理论曲线和实验曲线吻合得非常好.计算得到的结果与文献报道的结果和台阶仪的测量结果一致,误差小于4%.该方法对无定形或多晶的半导体薄膜都适用,也可以用于计算厚度较薄的薄膜.     

SBN60铁电薄膜横向电光系数及M—Z波导半波电压的研究

主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。     

用透过率测试曲线确定半导体薄膜的光学常数和厚度

介绍了一种简单而准确地确定薄膜光学常数和厚度的方法．借助于Forouhi-Bloomer物理模型，用改进的单纯形法拟合分光光度计透过率测试曲线，获得半导体薄膜的光学常数和厚度．对射频磁控溅射和直流反应溅射制备的玻璃基板上的α-Si和ZnO薄膜进行了实验，拟合的理论曲线和实验曲线吻合得非常好．计算得到的结果与文献报道的结果和台阶仪的测量结果一致，误差小于4%．该方法对无定形或多晶的半导体薄膜都适用，也可以用于计算厚度较薄的薄膜．     

合金纯度对BGA焊锡球成型的影响

采用气体净化法与熔体过滤法对Sn3.0Ag0.5Cu合金进行纯化处理,以纯化前后合金为原料制备焊锡球,研究合金纯度对BGA焊锡球成型良率及成型质量的影响。结果表明,合金纯度的提高有利于大幅度改善焊锡球成型良率与成型质量,而采用气体净化法能有效去除合金中杂质,提高合金纯度。     

荧光碳量子点荧光淬灭法检测六价铬离子Cr6+

本研究采用谷氨酸作为碳源,通过一步水热法制备得到具有良好稳定性和水溶性的氮掺杂碳量子点(N-CQDs).通过多种表征手段对碳量子点的形态学、表面基团和化学状态进行了分析,结果表明N-CQDs的表面被羧基和氨基功能化.基于六价铬离子(Cr6+)对碳量子点的荧光淬灭效应,建立了一种灵敏度高、选择性好的Cr6+荧光检测方法.实验结果表明,Cr6+对N-CQDs的荧光淬灭程度在Cr6+浓度8～150μmol/L内呈良好的线性关系(R2=0.9769),检出限为4μmol/L,且该检测方法具有良好的选择性和抗干扰性.     

带齿筋的加筋土挡墙筋条临界长度探讨

结合带齿筋H-V加筋土挡墙模型试验,在假定加筋土挡墙破裂面的位置及形状的基础上,考虑均布荷载对破裂面的影响,以楔形体的极限平衡理论为基础,推导出在黏着破坏条件下H-V加筋土挡墙筋条临界长度的表达式。探讨齿筋高度以及水平筋间距对挡墙加筋筋条临界长度的影响,提出在相同承载力下更有效的筋材配置方法。结合室内试验,解释H-V加筋土挡墙黏着破坏时的破坏机理。