砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

声电输运器件的表面波特性分析

本文讨论了埋沟砷化镓声电输运器件中声表面波传播特性,金属栅阵列的散射特性和导电理层对表面波的屏蔽特性。比较了不同沟道结构中表面波电位分布及不同金属结构对表面波的散射。指出了为获得性能优良的声电输运器所需结构参数的选择。     

体声波复合谐振器新结构的研究

本文报道了一种由氧化锌薄膜和多晶硅膜片构成的体声波复合谐振器的新结构，与传统制作在硅支撑膜片上的压电复合谐振器不同，多晶硅支撑膜采用表面微机械技术获得，因而是完全平面工艺，不需要双面光刻和背面腐蚀。采用Ｓ枪磁控反应溅射在多晶硅膜片上获得了ｃ轴取向良好的氧化锌薄膜。所得的谐振器的基波工作频率在５６０ＭＨｚ左右，而尺寸小于２５０×２５０μｍ２。     

S-枪溅射输运过程的蒙特卡洛法模拟

本文用蒙特卡洛法对S-枪溅射的粒子输运过程进行了计算机模拟。用靶面的水平磁场分布作为靶面开始刻蚀的粒子发射频度函数。结果表明,膜厚分布的计算值与实测值符合的很好,并比较了不同气压、靶片距对淀积粒子能量和入射角分布的影响。     

砷化镓声电荷输运的二维互作用模型

本文对砷化镓Ｓｃｈｏｔｔｋｙ－Ｎ结构的埋沟声电荷输运器件中的信号电荷包与声表面波非线性互作用建立了二维模型．研究了电荷包的声表面波输运特性，给出了包内信号电行密度分布，电荷包形状及电荷量随器件电荷加载、沟道常数等特性参量的变化特性．     

溅射淀积输运特性的研究

本文用Monte Carlo方法计算了溅射成膜过程中,溅射粒子从靶面到衬底的输运过程。用靶面水平磁场分布作为溅射粒子发射频度函数研究了溅射参数对溅射粒子的飞行轨迹、输运效率和能谱分布的影响,并计算了淀积薄膜的均匀性,能与实验值很好地符合。     

基于透明铁电陶瓷的高速可变光衰减器

透明铁电陶瓷具有很高的电光效应和快速的响应时间,但其存在回滞效应且受温度影响大,存在稳定性问题。该文采用后反馈闭环控制技术,有效地克服了这一缺点,制成了高性能的高速可变光衰减器模块。实验结果表明该器件模块的响应时间约10μs,衰减动态范围大于25 dB,插入损耗小于0.6 dB。     

声电输运器件的沟道特性研究

为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响.     

基于表面微机械和压电薄膜技术的新型微谐振器

一种基于表面微机械和压电薄膜技术的体声波器件新结构，是在多晶硅膜片上演积氧化锌（ZnO）压电薄膜。ZnO膜是在c轴采用S枪磁控反应溅射定向生长，而多晶硅膜片采用表面微机械技术制备。采用平面工艺，对氧化牺牲层化学蚀刻和照像腐蚀，制得表面微结构，其性能与在硅膜片上各向异性的传统制作工艺比较，在制作简易性、生产量和可靠性方面都有重大进展。已制成的微谐振器尺寸为15μm×150μm和250μm×250μm，其谐振频率为559．05MHz。