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1.
一、加强芯片电子电镀基础研究,刻不容缓.
从1997年IBM公司推出大马士革铜互联工艺起,电子电镀已成为芯片制造的核心工艺技术,成为不可替代的铜互连工艺.该工艺中最核心的材料是3个有机添加剂:抑制剂、加速剂、整平剂;使用量很少,但效果神奇,保证能在纳米级高深宽比(5-10)的沟槽中,均匀镀上优质的纯铜,至今国内无备胎. 相似文献
2.
铝及铝合金表面铬酸盐转化膜的组成和结构研究——Ⅰ.离子束分析、X光电子能谱和俄歇电子能谱测试 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道了用离子束分析(RBS和ERD方法)、X光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)测试方法对铝及铝合金不同基材表面经不同铬酸处理液处理所得的铬酸盐转化膜测定分析的结果。转化膜主要由三价铬化合物CrOOH·nH_2O组成,六价铬只存在于转化膜的表面层。转化膜中含有少量氟及铝化合物,在含有[Fe(CN)_6]~(3-)的铬酸处理液所得的转化膜中还含有铁氰化物。 相似文献
3.
’94美国电镀及精饰年会简介 总被引:2,自引:0,他引:2
’94美国电镀与表面精饰学会年会及展览会于1994-06-20~06-23在美国印第安纳波里斯市举行,共有英、法、德、意、俄、中、日等10多个国家千余名专家参加报告及展览会.参展厂商约250家.年会分13个专题分组进行报告.其中论文分布情况如下:(1)质量竞赛(ISO-9000及ISO-14000) 9(2)电子电镀 14(3)轻金属 20(4)环境保护 11(5)印制板 6(6)与欧洲表面处理学会(EAST)联报告会 9(7)一般专题 6(8)分析测试 6(9)装饰镀 5(10)安全 6(11)研究专题 7(12)刷镀 6(13)真空镀 6 相似文献
4.
5.
电沉积过程研究中的电化学和放射化学方法种类十分繁多,以下就常用的一些方法以及有关的问题作一些介绍.这些方法大部分已在我研究室和国内其他单位采用. 相似文献
6.
7.
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9.
本文对哈林槽的几何尺寸与分散能力数值的关系进行了分析探讨,结果表明,在应用Haring-Blum公式和Luke公式时,分散能力数值不仅与远近阴极与阳极间距离之比(K)有关,而且与哈林槽的绝对长度(近阴极至阳极的距离Ln)有关;在应用Heatley-Pan公式和Fjeld公式时,分散能力的数值只与Ln有关,而与K值无关。在吡呵酸镀银和氰化物镀银液中的实验证实了上述分析。 相似文献
10.
电沉积过程研究中的电化学和放射化学方法种类十分繁多,以下就常用的一些方法以及有关的问题作一些介绍。这些方法大部分已在我研究室和国内其他单位采用。 相似文献