含锂霞石颗粒和硼酸铝晶须的铝基复合材料

为了制备具有低热膨胀系数和较高强度的复合材料，选用具有负体膨胀系数的β-锂霞石颗粒和高强度的硼酸铝晶须作为复合材料组分，用挤压铸造法制备了6061铝基复合材料，并对该复合材料的显微结构、拉伸性能和热膨胀性能进行了研究，结果表明，该复合材料能同时获得较低的热膨胀系数和较高的强度；通过改变复合材料中β-锂霞石和硼酸铝的体积分数，在较大的范围内可以对复合材料的强度和热膨胀系数进行设计和调节。     

PtSi的价电子结构

利用固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）理论计算了ＰｔＳｉ的价电子结构。并利用Ｘ身线光电子谱（ＸＰＳ）分析了ＰｔＳｉ薄膜中阶电子的能谱。结果表明,Ｐｔ和Ｓｉ化合形成ＰｉＳｉ以后,Ｓｉ和Ｐｔ的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使ＰｔＳｉ具有良好的导电性。Ｘ射线光电子谱测试结果表明,ＰｔＳｉ中价电子的能谱向高结合能方向移动,Ｐｔ的５ｄ电子是化合物中重要的成键电子。     

6061Al合金等离子体基离子注氮表面的动态标度行为

利用原子力显微镜和掠入射X射线散射技术研究了6061Al合金等离子体注氮表面的粗糙度和标度行为。研究结果指出，注氮初期，表面粗糙度逐渐下降，当离子注入时间圉长时，表面粗糙度随注入时间的延长而逐渐增加，在远离平衡的条件下，材料的形成机制可通过分形理论研究，长时间离子注氮表面具有明显的分形特征，利用所得到的静态标度指数。生长指数和动态标度指数讨论了6061Al合金离子注氮表面的标度行为。     

Ni2 MnGa合金的价电子结构研究

用“固体与分子经验电子理论”研究了Ni2MnGa合金的价电子结构，研究结果表明，在Ni2MnGa中，Ni的杂化状态为A'种杂化第2阶；Mn的杂化状态为B种杂化第9阶，Ga为A种第9阶杂化。Ni的原子磁矩计算值为3.8666μB十分接近。最强的共价键是Ni-Mn键，其上的共价电子对数为0．577，其次为Ni-Ga键，其价电子对数为0．542，其它键上的共价电子对数小于0．2。     

SiC晶须增强铝基复合材料热膨胀行为与内应力关系的研究

本文作者研究了600℃水淬和600℃退火处理的碳化硅晶须增强铝基复合材料的热膨胀行为,阐述两者热膨胀行为与内应力的内在关系。结果表明:淬火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较高;而退火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较低。当材料在600℃淬火后,升温过程中材料的热膨胀系数曲线在80℃和245℃各出现一个峰值,且后者明显高于前者;而600℃退火后材料的热膨胀系数曲线只在80℃出现一个波峰,且其峰值低于淬火材料相应的峰值。分析表明:材料热膨胀系数曲线出现的第一个峰是基体内拉应力释放的结果;而淬火后材料热膨胀系数曲线出现的第二个峰是基体压应力释放速率的标志。