MINP太阳电池及其表面复合的分析

本文讨论了MINP太阳电池表面对光生载流子复合的影响,得出无栅区表面势与掺杂浓度和氮化硅中固定正电荷的关系,并分析了无栅区和电极区表面势对复合的影响。该电池在不增加复杂工艺的基础上可提高转换效率,目前我们用氮化硅作抗反射膜的电池,其有效面积转换效率达15.2％(AM1.5,100mW/cm~2,28℃)。     

MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。     

Ag与p-InP的肖特基势垒特性

本文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件对半导体表面进行热清洁后,可获得接近理想状态的清洁表面.在该清洁表面上制备出p-InP的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.73 eV和1.09.另外本文还对肖特基结经不同温度及时间热处理后结特性的退化进行了研究.     

背表面形貌对硅太阳电池效率的影响

Different processes are used on the back surface of silicon wafers to form cells falling into three groups：textured, planar, and sawed-off pyramid back surface.The characteristic parameters of the cells, ISC, VOC, FF, Pm, and Eff, are measured.All these parameters of the planar back surface cells are the best.The FF, Pm, and Eff of sawed-off pyramid back surface cells are superior to textured back surface cells, although ISC and VOC are lower.The parasitic resistance is analyzed to explain the higher FF of the sawed-off pyramid back surface cells.The cross-section scanning electron microscopy（SEM） pictures show the uniformity of the aluminum-silicon alloy, which has an important effect on the back surface recombination velocity and the ohmic contact.The measured value of the aluminum back surface field thickness in the SEM picture is in good agreement with the theoretical value deduced from the Al-Si phase diagram.It is shown in an external quantum efficiency（EQE） diagram that the planar back surface has the best response to a wavelength between 440 and 1000 nm and the sawed-off back surface has a better long wavelength response.     

1.25μm InGaAsP光电阴极的研究

使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电     

染料敏化太阳电池中敏化剂光吸收性能的探讨

对染料敏化太阳电池中敏化剂（钌有机络合物）的已有光吸收实验结果进行了分析，并根据分子轨道的基本理论，提出通过改变钌有机络合物配位体取代基的方法，增强其吸收光谱红移，达到提高光吸收能力的目的。     

钨硅／砷化镓肖特基接触的热稳定性分析

研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流空溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析，实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐdisplay status     

透射式GaAs光电阴极响应时间的理论分析

本文以光生电子处于非稳态的观点,分析了透射式GaAs光电阴极的响应时间,从理论上解释了C.C.Phillips等人的测量结果。指出透射式GaAs光电阴极是一种可用于时间响应为皮秒量级的良好光电阴极。     

MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬ ｐ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。