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退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。 相似文献
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用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOX薄膜,经Ar气氛中450℃退火2 h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOX晶格;另外单晶硅片上制备的VOX薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。 相似文献
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用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti/TiN双层膜以及Ti/TiN/SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征;用AFM和SEM对薄膜的表面和截面形貌进行了表征。结果表明:Ti/TiN双层膜在氩氮流量比为15∶15时,薄膜的结晶质量最好,硬度最高,达到15.6 GPa,最适合作为钢基SiC薄膜的缓冲层。另外,功能梯度SiC薄膜比SiC单层膜的结晶质量好;不同退火温度下功能梯度SiC薄膜的硬度高于SiC单层膜,同时功能梯度SiC薄膜的表面结晶质量也优于SiC单层膜。 相似文献
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