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C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制备的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。给果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5~20μm。薄膜呈现了较强的(111)择优取向,且该取向与流量比r=C2H2/N2有关、薄膜的主要构成是Ti(C,N),但膜中有石墨相存在。 相似文献
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感应自发热重熔(ISHR)技术在电子互连的应用中具有明显的三维选择性加热和快速加热等优点.该方法能够很好地解决由于无铅钎料的应用引起的日益严重的诸多问题,如球栅阵列中各钎料球受热不均匀和芯片基板与钎料球同时受热等.为此,采用ISHR进行了无铅钎料Sn3.5Ag在Au/Ni/Cu焊盘上的重熔实验、高温老化实验以及凸台剪切实验.由实验结果可知钎料凸台可以提供足够的剪切强度.文中讨论了界面反应和金属间化合物的演化.在老化期间界面处生长了连续的Ni3Sn4金属间化合物层,同时在钎料体内部生成了分散的(Aux,Ni1-x)Sn4化合物.金属间化合物的生长速度与老化时间的平方根成正比。由此可以判断金属间化合物的生长是一种扩散控制过程. 相似文献
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