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在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好的优点,在军事和民用上占有重要地位,已成为国际上极为重视的高技术研究的前沿课题。1985年West和Eglash首先观察到GaAs量子阱中的光跃迁现象。在1987年levine等人制造出第一个GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器,近年又制造出性能更好的探测器:工作温度77K,峰值波长为8μm,峰值探测率D_(λρ)~*=4.0×10~(10)cm、(Hz)~(1/2)/W。 相似文献
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本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能.探测器具有50个GaAs量子阱和Al0.28Ga0.72As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管.探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大.通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高:探测峰值波长为9.2μm,工作温度为77K时,峰值电压响应率为9.7e5V/W,峰值探测率超过1e11cm·/Hz/W,暗电流小于0.1μA. 相似文献
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利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga、As含量随退火温度升高而等量增加;温度高于225℃时,As开始逸出。热退火同时还会使Au芯能级位置向高束缚能端移动。 相似文献
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利用二次离子质谱系统地研究了生长温度,Al组分X值和As4夺强对Siδ掺杂AlxGa1-xAs的SIMS深度剖面,Si原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现,在外延生长Siδ掺杂AlxGa1-xAs时,随着生长温度的提高或Al组份X值增加,Si掺杂分布SIMS峰都非对称展宽,表面分凝作用加强,但不影响Si原子的扩散,因此SIMS剖面的展宽与扩散无关。 相似文献
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钟战天 《真空科学与技术学报》1987,(2)
一、引言我们研制的表面分析联合谱仪具有LEED,RHEED,AES和光电子发射产额谱仪(PYS)等表面分析器,并带有分子束外延设备以便进行亚原子层金属淀积和生长各种理想表面。这是非常适合半导体表面和界面研究的新型设备。本文介绍了此联合谱仪的结构和设计方案。此外,还给出PYS的调试和校准方法。 相似文献
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利用 Mg Ka X射线作为激发源,对 a-Si:(Cl,H)薄膜进行了 PESIS研究.样品是采用辉光放电方法在SiCl_4-SiH_4-H_2混合气体中,当石墨衬底温度为350℃时生长的.实验发现,薄膜中的Cl只起补偿 Si悬挂键的作用,不起掺杂作用.对Si 2p光电子峰进行分解,得到Cl引起Si 2p能级的化学位移为 1.1± 0.1eV.根据原子电负性的考虑,认为在 a-Si:(Cl,H)薄膜中,只存在 Si-Cl单键结合,不存在 Si-Cl_2、Si-Cl_3和 Si-Cl_4的结合形式.对Cl 2p光电子峰的分析结果表明,在这种薄膜中,Cl只有一种化学形态,即Si-Cl结合态,不存在分子Cl_2. 相似文献