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应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al异质结电容器。X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量。研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6μC/cm2和45.7 V。在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6 A/cm2。漏电机制研究表明,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制。铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象。 相似文献
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