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基于第一性原理计算,理论预测到吸附在氮化硼纳米管上的Au-V(Cr)原子线呈现半金属性:费米面上的态密度在多数自旋方向上呈金属性而在少数自旋方向上呈半导体性.吸附在氮化硼纳米管上的Au-V(Cr)原子线的半金属性起源于孤立的Au-V(Cr)原子线.计算得到单原胞的总磁矩为玻尔磁子的整数倍,这也是半金属性的一个显著特征.  相似文献   
2.
在充分了解NMOS管和PMOS管电学特性的基础上,我们总结了一个理解和设计传输门逻辑和静态CMOS门逻辑电路的方法,这种方法能够简单易懂的去理解基于MOS器件的传输门和静态CMOS门逻辑电路。运用这种方法,我们也可以方便的去设计传输门和静态CMOS门逻辑电路。我们的方法将静态逻辑门电路和传输门逻辑电路有机的统一起来,便于理解学生的理解和记忆。  相似文献   
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