微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率、延长光刻技术寿命以及推进光刻技术极限发展方面的优良性能     

相移掩模模拟软件研究

本文将报导我们编制相移掩模模拟软件有关工作，分析其中几个重要参数的影响，同时在非相干，部分相干，以及干相光照明下对曝光线条边角的圆化建立了数学模型，并与实验结果加以比较。     

部分相干因子σ及其在相移掩模（PSM）模拟软件中的应用

从Ｈｏｐｋｉｎｓ公式出发，分析部分相干因子σ的物理意义，同时主要讨论在建立相移掩软件中部分相干因子σ的应用。