GaN基LED与Si键合技术的研究

采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。     

熔融沉积成型桌面3D打印机的基础几何误差分析

为了探讨熔融成型桌面打印机成型的基础几何尺寸精度,并为熔融成型桌面打印机的市场定位提供设计参考依据,设计了线纹、步距、间隙、孔径、台阶等典型几何特征的三维模型,并采用选用PLA材料对这些基础几何特征进行熔融沉积成型。实验分别在自组装FDM 3D打印机、厦门螺壳电子科技有限公司、浙江闪铸三维科技有限公司的标准打印机上实施。最后基于对FDM成型的标准版基础几何特征尺寸精度能力的测试,初步提出一些适用于FDM打印品的质量评价方法以及标准测试样板的设计规则,对3D打印机的市场定位以及建立相关标准提供第三方检验测试手段。     

大功率白光LED老化问题研究进展

本文阐述了大功率白光LED老化的表现、机理及其相应的解决方案等.     

GaN基LED与Si键合技术的研究

采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。     

显示产业关键参数计量测试比对的若干思考

根据全国显示产业关键参数计量测试比对的组织、实施过程、结果分析的情况,本文主要介绍了三部分内容:一是显示产业关键参数计量测试比对对于产业发展的意义;二是计量测试比对反映出来的不同方面的需提升因素;三是针对需提升因素并结合产业计量和产业质量升级转型需求给出的建议。     

抛光对GOI(Germanium-on-Insulator)衬底的影响

We prepared germanium-on-insulator(GOI) substrates by using Smart-CutTM and wafer bonding technology. The fabricated GOI is appropriate for polishing due to a strong bonding strength(2.4 MPa) and a sufficient bonding quality.We investigated mechanical polishing and chemical-mechanical polishing(CMP) systematically, and an appropriate polishing method—mechanical polishing combined with CMP-is obtained.As shown by AFM measurement,the RMS of GOI after polishing decreased to 0.543 nm.And the Ge peak profile of the XRD curve became symmetric,and the FWHM is about 121.7 arcsec,demonstrating a good crystal quality.     

利用金属键合和激光剥离技术制备GaN/metal /Si异质结构的研究

利用金属键合和激光剥离将生长在蓝宝石衬底上的GaN薄膜转移到Si衬底上。键合后采用波长为248nm的准分子脉冲激光辐照蓝宝石衬底,低温处理去除蓝宝石衬底。系统地研究不同键合温度和激光能量密度对GaN结构和光学特性的影响。AFM、XRD和PL测试表明：键合温度和激光剥离的能量密度较低,转移衬底后GaN的质量较好;激光剥离的阈值能量密度为300mJ/cm2;键合温度400℃的样品均方根粗糙度（RMS）约为50nm。     

罗氏线圈灵敏度校准方法

介绍了一种罗氏线圈灵敏度的校准装置及校准方法,采用高稳定大功率交变电流源,校准时通过电流比例标准和标准电阻I/U转换方式确定标准一次电流值,从而确保罗氏线圈灵敏度校准的有效性及准确性。分析罗氏线圈灵敏度校准过程的影响因素并对测量结果进行了不确定度评定分析。     

合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响

Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019cm-3;依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列Al/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA)30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3×10-5Ω·cm2。     

电子式绝缘电阻表工作原理及其校准过程分析

介绍了电子式绝缘电阻表的工作原理、优点,分析了绝缘电阻的物理模型以及绝缘电阻测试过程及结果失真的原因,并对电子式绝缘电阻校准过程进行分析说明。