辉光放电沉积非晶态硅薄膜的光电性

本文报道了通过电导和光电导的测量,了解用硅烷辉光放电工艺制备非晶态硅薄膜(简称GD-aSiHx)的基本特性。试验结果指出,我们制备的GD-aSiHx本征薄膜具有显著的光电导效应,光照下可使其电导率增加两个数量级。从吸收系数和光谱灵敏度曲线得到GD-aSiHx的迁移率隙Eg为1.65eV。在Eg1.65eV处有强光响应,而在定域态1.65—0.75eV之间有弱光响应,低于0.75eV无光响应,足见我们制备的GD-aSiHx为弱n型半导体。发现光生载流子移向Ec时,双分子复合作用占主导地位。所进行的低温和高温电导和光电导测试结果表明,GD-aSiHx的低温电导随温度下降而降低,并与温度倒数1/T呈函数关系。电导由激活过程逐渐变为非激活过程,激活能为0.66—0.73eV。高温电导曲线表明电导随温度升高而增大,但电导与温度呈非线性关系,说明GD-aSiHx的电子传导是通过跃迁输运的。对低温下光电导用R_D/R_L表示时(R_D是暗阻,R_L是光阻),当T=293-193K,(R_D/R_L)低温:(R_D/R_L)室温≈10;T<193K,R_D≈R_L;高温下光电导R_D/R_L随温度升高而降低;当T>373K时,R_D≈R_L。     

PCVD法合成的无定形Si3N4纳米粉末和薄膜的红外特性比较

用等离子冷放电化学气相法（ＰＣＶＤ）合成的高纯、超细的无定形Ｓｉ３Ｎ４粉末，领教旷了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定，发现合成的粉末测量暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时间的延长，表面氧化愈来愈严重，Ｓｉ－Ｏ键的吸收峰强度明显增强。而Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ键，Ｓｉ－Ｈ键的吸收峰则愈来愈弱，直至仅有极小的吸收，而用低温ＰＣＶＤ法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强，与刚合成的粉末的红     

CVD法合成的无定型纳米粉体的晶化

以六甲基二硅氨烷（ＨＭＤＳ）为原料,采用ＣＶＤ方法,在不同温度下合成的粉体,经ＸＲＤ测定,确定为无定型．经不同温度晶化处理后,发现１０００℃时合成粉体随着晶化温度的提高,颗粒长大并变长,接近哑铃状．经１５００℃晶化处理后,颗粒呈晶须状,而经１６００℃处理后才完全晶化．１４００℃合成的粉体则随着晶化处理温度的提高,局部的颗粒长大,温度愈高,长大的颗粒愈多．经１５００℃晶化处理后,从ＸＲＤ,ＴＥＭ及ＨＲＥＭ可以看出粉体全部晶化,颗粒的结晶已非常完整,晶格网络清晰可见,颗粒度约为２０—４０ｎｍ,外表面有一层１—２ｎｍ的膜包裹．     

六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究

以六甲基二硅胺烷作原料，用ＣＶＤ法合成的纳米粉体，在１０００－１５００℃温度范围内合成的均属无定形，１０００℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径８－１０ｎｍ，少量２５－３０ｎｍ，在１４００℃高温下合成的颗粒较均匀，为８－１０ｎｍ的圆球形，经高温晶化处理后，低温时合成的粉末呈晶须状，ＳｉＣ和Ｓ相共存，以ＳｉＣ相为主，较高温度下合成的粉体颗粒长大成２０－４０ｎｍ，以β－ＳｉＣ相为主伴有α－ＳｉＣ相，颗粒外表     

非晶态硅氢合金的光致发光

本文报道了对直流辉光放电沉积的非晶态硅氢合金的光致发光的测定结果.采用488nm氩离子激光器作为光源,试验温度在77K下进行.试验结果表明沉积过程中的衬底温度对光致发光有较大的影响,在室温下a:SiH.的光电导性很差,光致发光强度几乎观察不到,当温度提高到250～300℃,光致发光强度增大.随着工艺条件的变化,发     

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究

利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．