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以沁水煤田成庄矿井奥陶系峰峰组地层为研究对象,通过对峰峰组和上马家沟组含水地层的地质特征、水化学特征及水力联系进行综合分析和对比,确定了峰峰组地层上部区段具有一定的隔水性能,研究了其隔水层厚度和地质分布规律,对矿井奥灰岩溶带压区的危险区的划分和圈定提供了科学的技术支撑,有效地增加了矿井安全区(可采区)的开采范围。 相似文献
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用Ta2O5 纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带, 典型的纳米带长约0.5 cm, 横截面积40 nm×200 nm~ 400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管; 该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10 -4cm 2/(V·s)和3.4, 在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm 2)的光照下, 外加5.0 V的偏压时, 光响应为249 mA/W, 光开关比为11。因此, 该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外, 实验还控制合成出Ta2O5@TaON纳米带, 并加工成单根纳米带的场效应晶体管, 虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON 纳米带, 但仍算是一种好的光电材料。 相似文献
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用Ta_2O_5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm~400 nm×5600 nm。在SiO_2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管;该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10~(–4)cm~2/(V·s)和3.4,在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm~2)的光照下,外加5.0 V的偏压时,光响应为249 mA/W,光开关比为11。因此,该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外,实验还控制合成出Ta_2O_5@TaON纳米带,并加工成单根纳米带的场效应晶体管,虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON纳米带,但仍算是一种好的光电材料。 相似文献
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为有效探明采面及上覆煤层的富水情况及地质异常,通过地面物探可从整体上控制区域不同煤层的小煤窑开采积水区和富水区域,井下物探可更有针对性地对比和探明富水异常区,提高构造探测的横、纵向分辨率,最终利用钻孔窥视进行验证,对工作面形成"闭合式"精细化物探,保证采面巷道的合理布置和工作面的安全回采。 相似文献
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