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MgSiO3掺杂对ZnO压敏电阻器电学性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻。实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA。其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180V/mm,样品正反面各五次通流40kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率?V1mA/V1mA分别仅为2.56和–2.9%,且漏电流变化很小。对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关。 相似文献
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为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。 相似文献
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研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2 O.75%Co2O3 0.10%Nb2O5 1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761eV).当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V/mm增大到556V/mm,1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。 相似文献
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CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应 总被引:2,自引:2,他引:2
研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。 相似文献
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SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
实验研究了SiO2对ZnO压敏电阻器性能的影响,在ZnO陶瓷中,添加适量的SiO2可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度,降低漏泄电流,提高通流量,能够制造出性能优异的ZnO压敏电阻器。 相似文献
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(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i 对 Sn4 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 O5晶界缺陷势垒模型 相似文献
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(Ba,Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学非线性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。晶界势垒高度测量表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Ba含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂x(BaCO3)=0.4%的SnO2压敏电阻击穿电压为最小(140V/mm);掺杂x(BaCO3)-0.8%的SnO2压敏电阻具有最高非线性系数(α=19.6),最高的势垒电压(ψB=1.28eV)。 相似文献