氨基化GO/磺化聚苯胺改性水性环氧防腐涂料的制备与性能

以氯磺酸、苯胺和过硫酸铵为主要原料合成磺化聚苯胺（SPANI）,利用聚乙烯亚胺（PEI）还原GO,合成PG复合材料。利用GO上活性位点,将SPANI与PG结合,制备了SPG复合材料。利用SPG与水性环氧树脂共混制备水性环氧防腐涂料。通过FT-IR、XRD对SPG复合材料结构表征,结果表明,PEI上的氨基成功与GO结合,SPANI成功增加了PG的层间距;通过盐雾、电化学等实验对水性环氧涂层的防腐性能进行测定,并分析了涂层的物理性能。结果表明,当添加2wt%SPG时（添加量以环氧树脂和固化剂总质量为基准,下同）的水性环氧防腐涂层具有最优异的耐腐蚀性,腐蚀效率可达到99.19%,与纯EP相比,腐蚀电流密度从1080 nA?cm-2减小至307 nA?cm-2,腐蚀电压从-0.840mV升高至-0.347mV。     

牡蛎多肽饼干制作及货架期预测

为满足消费者日益更新的需求,同时提高牡蛎的高值化利用,以牡蛎多肽、黄油、白砂糖等为考察因素,采用单因素试验和响应曲面试验设计,优化牡蛎多肽饼干配方,分析其营养成分,并预测其货架期品质。结果表明,牡蛎多肽饼干的最佳配方为:牡蛎多肽粉添加量为3.43 g、黄油添加量为60.0 g、白砂糖添加量为48.70 g、鸡蛋液添加量为20.00 g,在此条件下制得的饼干感官评分最高,为81.0±0.5。牡蛎多肽饼干预测在25℃恒温恒湿保存条件下可贮藏5～6个月。该工艺下的牡蛎多肽饼干具有良好的风味。     

改性水性聚氨酯防腐涂料的最新研究进展

水性聚氨酯涂料作为一种防腐材料,具有无毒无味,安全环保等特点,但防腐性能依然需要提高,为了进一步提高产品的防腐性能,研究人员使用不同改性方法制备功能各异的水性聚氨酯防腐涂料.主要介绍了纳米粒子填补缩孔、自修复破损涂层、改变合成原料3种方法对水性聚氨酯涂料进行改性,但这3种方法改性机理都还不完善,未来可以探究新的防腐机理,开发出更先进的水性聚氨酯防腐涂料.     

水性聚氨酯防腐涂料改性的最新研究进展

腐蚀已经成为危害世界经济，构成重大事故的罪魁祸首之一，因此如何解决腐蚀的问题是我们目前必须要攻克的难关。水性聚氨酯涂料作为一种防腐材料，无毒无味，安全环保，但防腐性能依然需要提高，为了进一步提高产品的防腐性能，研究人员使用不同改性方法制备功能各异的水性聚氨酯防腐涂料。本文主要介绍了通过纳米材料、自修复等几种较常用的改性方法对水性聚氨酯涂料改性，并对未来的研究方向和发展趋势进行了展望。     

粉煤灰中稀土元素提取利用研究进展

稀土元素在现代工业中的作用与日俱增,随着未来需求的日益增长以及传统矿床的逐渐消耗,寻找稀土资源新的来源是全球关注的焦点。近年来,粉煤灰被认为是未来能够提供稀土元素的可替代原料之一,同时,稀土元素提取也被认为是粉煤灰高附加值利用的一个重要方向。要实现粉煤灰中稀土元素的综合利用,提取技术是关键。本文总结了国内外粉煤灰中稀土元素赋存状态、物理富集以及化学提取的最新研究进展,探讨了粉煤灰中稀土元素提取要综合考虑的各种因素,可为从粉煤灰中提取利用稀土元素提供参考,促进粉煤灰的高效循环利用。     

重庆中梁山煤田凝灰岩中战略性金属的浸出试验

西南地区晚二叠世含煤岩系底部广泛分布一层由基性火山灰经热液流体蚀变的凝灰岩。凝灰岩中富集稀土元素（REY）,Nb和Ga等战略性金属，称之为一种新型的煤型战略性金属矿床。然而，凝灰岩中战略性金属的可提取性如何，尚不清楚，制约了这些金属的开发利用。为此，以重庆中梁山煤田晚二叠世凝灰岩为对象，采用（NH₄）₂SO₄,H₂SO₄,NaOH,HCl和HF等试剂对凝灰岩中REY,Nb, Ga, Al₂O₃和SiO₂进行分步连续浸出。结果表明，（NH₄）₂SO₄能浸出约30%的REY,表明凝灰岩中离子吸附型REY占比大于30%,其余的战略性金属均以矿物相形式存在。（NH₄）₂SO₄—H₂SO₄—NaOH—HCl—HF分步连续浸出可有效提取凝灰岩中的REY...     

氧化石墨烯包裹聚甲基丙烯酸缩水甘油酯微球用于增强水性环氧树脂的防腐性能

以甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)自由基聚合反应合成聚甲基丙烯酸缩水甘油酯(PGMA)；利用生物基原料赖氨酸(Ly)作为桥梁，将氧化石墨烯(GO)与PGMA连接，合成表面包裹氧化石墨烯的PGMA微球PLGO，用于制备水性环氧复合涂料。产物结构经红外光谱、X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜分析，结果表明，GO成功包裹PGMA微球；采用电化学、盐雾试验对水性环氧涂层的防腐性能进行分析，结果表明，当添加质量分数0.3%的PLGO时，水性环氧防腐涂层具有最优异的耐腐蚀性，缓蚀效率可达到86.46%，与纯EP相比，腐蚀电流密度从2478.75 nA/cm²降至335.46 nA/cm²，腐蚀电压从-0.88 V升高至-0.53 V，低频阻抗值提高约4个数量级。