Ca_(1-1.5x)WO_4:Eu_x发光薄膜的射频溅射制备技术研究

以Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷为靶材,采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜的红光(616 nm)发光强度的影响;并利用荧光光谱仪和X射线光电子能谱(XPS)仪研究了薄膜的发光性能和成分。极差分析说明,溅射气压、时间和功率都会影响薄膜的发光强度,溅射时间的影响尤为重要。为提高发光强度,溅射气压宜控制在0.2 Pa左右,溅射时间在140 min。成分分析表明,薄膜中钙元素含量显著低于靶材中的含量,但铕元素含量显著偏高。研究还表明,靶材中Ca、W、O和Eu元素的溅射产额比为1∶1.79∶1.84∶2.28。XPS分析和光致发光谱都说明,薄膜中的Eu元素同时存在+3和+2价。     

制备工艺对掺铕的钨酸钙薄膜发光性能的影响

采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜的红光(615 nm)发光强度的影响。荧光分析表明,溅射法沉积的Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜需在700⁸00℃热处理后才能强烈地表现出Eu3+离子的特征发光行为;正交试验说明,溅射气压、时间和功率对薄膜的发光强度都有重要影响,溅射气压的影响尤为重要。研究还表明,为提高发光强度,溅射气压宜控制在1.0 Pa左右,溅射时间在160 min。