金属化陶瓷抗拉强度的检测与分析

通过分析不同检测方法、不同断面状态的金属化陶瓷抗拉强度检测结果，探讨影响抗拉强度检测结果的因素，及如何根据抗拉强度检测结果对产品的质量做出较为合理的判定。     

水运工程造价控制与管理

针对水运工程在决策、设计、招投标、施工4个阶段工程造价管理存在的问题,从工程投资控制环节、投资监管等方面,提出工程造价动态管理的措施,以期提高政府投资效率.在决策阶段,根据项目特点和沿岸水文地质条件,选择合适的工程地址;在设计阶段,进行设计招标,运用价值工程的方法对设计方案进行比选及实行限额设计;在招投标阶段,提高业主方项目经理专业素质,评标过程以单价评审为主,进行单价分析,分析综合单价的合理性,并引入市场竞争机制;在施工阶段,确定合理的工程量计量方式,暂定金额按实际发生计量,加强对工程变更的管理.水运工程项目建设采用上述管理方法和控制手段,可以有效控制工程造价,节约工程资金,使投资获得最大经济效益和社会效益.     

燃气（油）热风机用板式换热器的研究

分析探讨了几种燃气（油）热风装置的空气加热装置－－烟气－空气热交换器的结构型式，优化设计了一种板式换热器，并制作了样机。通过正交试验设计，对试验工况作了安排，采用单纯性法，在微机上对试验数据进行了处理，拟事出该种换热器性能试验关系式。结果表明该换热器用于燃气（油）热风机减少了中间热损失，传热效果好，空气阻力小。     

定向/有序碳纳米管制备的研究进展

综述了国内外有序、定向碳纳米管制备的研究进展。着重介绍了模板法和等离子体增强化学气相沉积技术在碳纳米管制备方面的应用，并就制备原理、影响因素等作了简单介绍。     

基于碳纳米管的电化学生物传感

碳纳米管以其独特的物理化学性能和纳米尺寸效应受到人们的广泛关注。将碳纳米管作为电极材料应用于电分析化学研究始于1996年,Bfitto等将碳纳米管与溴仿（或矿物油等）混合填充于玻璃毛细管中形成电极,研究了多巴胺等的电催化伏安行为,证实碳纳米管可加速在界面上的电子转移过程。这一特性引起了其在电化学传感器和生物电化学研究中的关注,基于碳纳米管的电化学生物传感器的研究取得了快速进展。     

氨化Si基Ga2O3/Co薄膜制备GaN纳米线

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.     

煤层气脱碳净化过程中醇胺溶液的腐蚀降解

对醇胺溶液在有氧环境中的降解及腐蚀进行了研究,结果表明,MEA、MDEA、DETA、MDEA+MEA、MDEA+DETA、MDEA+PZ等六种醇胺溶液发生的热降解非常少,主要是氧化降解;富液的腐蚀性明显高于新鲜胺液的腐蚀性;因此,需通过严格控制操作条件或添加抗氧化剂或缓蚀剂来改善醇胺溶液的性质。     

乳腺钼靶90°侧位投照在乳腺疾病中的应用

目的探讨和评价乳腺90°侧位投照技术在检查乳腺病变中的重要性。方法使用意大利IMSGIOTTO HI-TECH高频钼靶乳腺X线机,KONICA5300干式激光打印机及KONICAIP板(18×24),KONICA扫描仪及后处理系统,常规摄取头尾位和内外斜位片,根据病变位置追加90°侧位片。结果68例患者中,全部行常规头尾位和内外斜位,54例患者能明确影像学诊断,明确诊断率为82%,其中良性诊断为54例,恶性诊断2例。其中12例患者通过触诊触到明显病灶,但常规头尾位和内外斜位中未见明显病灶或病灶显示不全,对其追加投照90°侧位以后,9例患者的病灶均显示清楚准确,明确诊断率高达95%。结论乳腺钼靶90°侧位投照有重要意义,能够减少乳腺癌的漏诊,增加诊断的准确性,具有重要临床指导意义。     

超临界水氧化技术处理香料废水研究

采用超临界水氧化( SCWO)技术对香料废水进行处理,研究了反应温度、压力、停留时间等因素对废水COD、TN、NH3-N和色度去除效果的影响.结果表明,使用SCWO法处理香料废水有良好的效果,出水COD得到明显的去除.在过氧比为2,反应压力27 MPa、温度500℃、时间60 s的条件下,该废水的COD去除率可以达到99.4％.     

稀土金属Tb催化制备GaN纳米棒(英文)

利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜制备出GaN纳米棒。X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品进行测试,结果显示样品为单晶结构的纳米棒,直径为80～200nm,长度达几十微米。最后简单地讨论了GaN纳米棒的生长机制。