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1.
本文介绍利用SPW观察有机单分子膜的聚合过程,研究聚合前后单分子膜光学性质的变化,实验得出分子有效链长和化学键理论值较好符合。  相似文献   
2.
非离子型表面活性剂具有良好的乳化、清洗、发泡、润湿等作用,它们在纺织、机械、轻工、石油化工等工业部门以及人们的日常生活中,已经得到了广泛的应用。最近十多年来,随着相转移催化技术的迅速发展,冠醚作为一种出色的相转移催化剂越来越受到人们的重视。然而,由于冠醚的制备极其困难,价格十分昂贵,而且还有毒性,这就使它的应用受到很大限制。具有链状聚氧乙烯结构的化合物与冠醚有类似的性质,  相似文献   
3.
报道了一种新的高稳定的有机分子(SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物.由这种材料制成的薄膜,在室温6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态,其跃迁时间小于20ns,并具有极佳的热稳定性.因此可望用于制作电子器件,如一次写入存储器(WORM)等.进一步的研究还发现,在适当的工艺条件下,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu-SCN-Al结,这种结具有极性记忆效应,即只能被单向驱动.  相似文献   
4.
一种具有极性记忆效应的热可擦有机电双稳薄膜   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了一种新型有机材料AOSCN(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷),能与Cu形成具有电双稳特性的络合物,在6V电压下,薄膜发生从高阻态到低阻态的转变,跃迁时间小于30ns,驰豫时间小于1μs。若薄膜已发生高阻态到低阻态转变,高温热处理能使其恢复初始状态,这有望制成可擦写存储器。此外,在一定的工艺条件下,AOSCN与Cu和Al形成的金属-有机-金属(MOM)结,具有极性记忆效应。  相似文献   
5.
采用溶胶 凝胶法制备了低介电常数SiO2 薄膜和SiOF薄膜 ,F的掺入明显地降低了SiO2 薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响 ,测量了 10~ 3 0 0kHz范围内电容随频率变化的曲线 ,并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明 ,F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶 凝胶法制备掺F的SiO2 薄膜过程中各种因素对介电常数的影响 ,并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌  相似文献   
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