大尺寸GaSe单晶生长和光学性能EI北大核心CSCD

通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小于0.1 cm^–1的透过波段为0.64μm^12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm^–1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm^2。     

用正交实验法优化聚合物单体4,4''''-二氨基三苯胺的合成工艺

以苯胺和对硝基氯苯为原料,K2CO3作催化剂,合成出了中间产物4,4'-二硝基三苯胺(DNTPA).将中间产物用10%的Pd/C催化剂加氢催化还原,得到纯度为96.6%的目标产物4,4'-二氨基三苯胺(DATPA).合成总产率为38%.与其它方法相比,该方法原料便宜易得,纯度较高,产物可作为聚合反应的单体原料. 本文用正交实验设计对该合成方法进行了研究,得出了最优化的反应条件.     

大尺寸GaSe单晶生长和光学性能（英文）

通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman-Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm-1的透过波段为0.64μm～17.80μm,吸收系数小于0.1 cm-1的透过波段为0.64μm～12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm-1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm2。     

双温区合成法制备ZnGeP_2多晶材料

合成高纯及化学计量比的ZnGeP2多晶材料是生长高质量ZnGeP2单晶的关键。但由于P在高温下蒸气压高,Zn和P易挥发等因素,使合成化学计量比ZnGeP2多晶材料存在一定困难。采用双温区合成法制备了ZnGeP2多晶材料,用X射线粉末衍射分析了反应过程中在炉内温度梯度区间生成的中间产物和在高温区末端石英管壁上的少量沉淀。结果表明:温度梯度区间生成的中间产物中ZnP2含量为95.45%(体积分数,下同),Zn3P2含量为4.55%。高温区末端石英管壁上的沉淀中ZnP2含量为40%,ZnGeP2含量为60%,Zn和P的挥发导致合成的ZnGeP2多晶体中富含Ge。通过调节高温区的温度和降温速率,可有效地控制组分挥发,得到化学计量比的ZnGeP2多晶材料。     

用正交实验法优化聚合物单体4,4′-二氨基三苯胺的合成工艺

以苯胺和对硝基氯苯为原料,K2CO3作催化剂,合成出了中间产物4,4′-二硝基三苯胺（DNTPA）。将中间产物用10%的Pd/C催化剂加氢催化还原,得到纯度为96.6%的目标产物4,4′-二氨基三苯胺（DATPA）。合成总产率为38%。与其它方法相比,该方法原料便宜易得,纯度较高,产物可作为聚合反应的单体原料。本文用正交实验设计对该合成方法进行了研究,得出了最优化的反应条件。     

磷锗锌晶体生长与缺陷结构

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。     

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究.CdCeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点.通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分.计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合.CdGeAs2晶体具有直接...