气敏材料的研究进展

从气敏材料种类，制备方法，改善气敏材料缺陷的手段等方面介绍了气敏材料的研究进展，论述了气敏材料研究中的新动向，展望了它的未来发展。     

非晶硅氢合金液晶光阀的研究与发展

本文综述了近四、五年间发展起来的非晶硅(a-Si:H)液晶光阀(LCLV)的研究及进展情况。讨论了以a-Si:H制成光导层或PIN结光二极管形式作光阀的电荷产生层及利用向列型或近晶型液晶作为光调制器(SLM)所组成的液晶光阀的工作原理。分析了a-Si:H本身的性能,光阀上所施加的电压和电压的频率以及采用不同的液晶,组成不同的结构形式等对光阀器件性能的影响。     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.     

掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为

采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3，PT)超细粉末，分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明：这种粉末在约600℃热处理温度下，由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成，其晶粒平均尺寸约为18nm，比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中，Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置，产生阳离子空位，诱发晶格畸变，使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外，掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c／a比未掺Tb^3 的PT中的低，这类似于产生了赝立方结构，降低了从立方相向这种四方相转化的势垒，有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生，使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。     

溶剂对溶剂热合成CdS纳米晶体的形貌控制

以溶剂热法在不同溶剂里的160℃下反应12 h制备不同形貌的CdS纳米晶粒,分别选用水(H2O)、二甲基甲酰胺(DMF)、乙醇胺(an)和乙二胺(en)为溶剂来控制纳米CdS的形貌和尺寸.对样品的结构和性能进行表征,重点分析了溶剂的物理性质和结构特征对CdS纳米粒子晶体结构、形貌和尺寸的影响,不同溶剂的作用机制不同,可通过选择合适的反应溶剂来控制纳米粒子的形貌和尺寸,以制备满足不同应用需要的纳米结构,尤其是性能独特的一维纳米结构.     

HPC修饰纳米二氧化钛薄膜的微观结构和光学性能

用羟基纤维素(HPC)作为添加剂,用溶胶-凝胶法制备了二氧化钛薄膜.用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察不同HPC含量的二氧化钛薄膜的微观结构,研究HPC对膜的微观结构的影响机理.用X射线衍射谱(XRD)分析不同薄膜样品的晶格常数.用吸收光谱观察薄膜光吸收端随HPC含量的变化.发现HPC的加入阻碍二氧化钛晶粒生长和减小膜厚两方面导致了二氧化钛晶格畸变,进而引起薄膜光吸收端的蓝移.     

原位复合钛酸铅/镍(铅)铁氧体复相粉体的制备研究

利用sol-gel法并通过原位复合方法制备了具有铁电性能的PbTiO3和具有铁磁性能的NiFe2O4和PbF12O19多相复合体系陶瓷粉体。利用XRD、SEM对多相复合体系的物相结构和形貌等进行研究。结果表明，在700℃以上则形成铁电（PbTiO3）/（NiFe2O4和PbF12O19）三相复合体系。热处理温度对多相复合体系晶相的形成和生长产生关键性作用，多相复合共存体系中形成的晶相多以固溶体存在，各固溶晶相的晶格常数随固溶量的不同而不同。     

基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。     

电子束蒸发制备氧化钨、氧化镍薄膜的电致变色性能

电致变色(EC)材料在外加电压作用下能可逆地改变其光学性能.其中氧化钨与氧化镍是典型的电致变色用材料.本文用电子束蒸发的方法在ITO玻璃基片上制备了此两种薄膜,研究了热处理工艺对薄膜结构与电致变色性能的影响.电致变色性能由电化学方法测试.封装的半固态智能窗器件具有很好的电致变色性能.