先进半导体制造之内建式可靠性数据分析系统

开发内建式可靠性(BIR)数据库系统．使我们能利用所累积的早期信息减少市场风险和缩短产品开发的时间；作为一个系统，其包含了所有可靠性资料和相关的信息，而且能够帮助工程师做一些相关的资料分析及研究。因此开发这样一个数据库系统，使我们能够在新的技术产品开发前进行初始化评估；在设计发展的过程中，尽早地发现可能的改进和不稳定的因素，从而大大降低生产风险。缩短生产周期，也有效地压缩了成本。本文从三个方面来具体介绍这个系统。首先介绍这个系统的框架建立；第二部分介绍系统的功能特点，发展目标及优势；最后介绍系统的应用及前景。     

统计方法在电迁移测试数据分析比较中的运用

针对线上工艺的不同情况,如量产产品工艺监控、工艺改进的验证或者线上异常情况发生时的风险评估,仅进行常规的参数估计和寿命推算是不够的,需要对电迁移加速寿命测试的数据进一步分析。本文结合统计的方法,着重研究通过对X-MR图引入监控因子这个参数形成双控制线管制图来对于量产产品工艺稳定性进行评估,及早发现问题;通过引入T0．1的95％的置信区间来比较子批与母批（基线）,从而对工艺改进和线上异常发生时更有效的进行风险评估。     

电迁移测试中模型参数估计方法的比较

电迁移（Electro—Migration,EM）是集成电路可靠性研究的重要项目之一。本文基于JESD63,基于最小二乘法（LSE）和基于极大似然估计（MLE）来研究不同的统计方法对电迁移的样本估计（t50,σ）和模型参数估计（Ea,n）的影响,并列举了不同统计方法在不同情况下的应用。为电迁移的数据分析提供了更多更灵活的处理方法,此外,对TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown）的参数估计同样适用。     

使用Fluke 2635T校准仪自校EM电炉温度的新方法

1 引言 电迁移（Electro—migration，EM）是半导体元件可靠性检验的一项重要测试。在EM测试时，一般要使用电炉加温，以取得强化压迫（Highly Stressed）测试条件下的温度读数（150℃-350℃）和电流量的常数（〈80m A）。每一次EM强化测试通常要持续数周之久，为了保证读取的数据正确，其中必须对电炉的测温仪表进行周期校准。