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1.
文章综述了金属间化合物Fe3Si制备方法的研究现状,详细介绍了Fe3Si的几种常用制备方法,如分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和机械合金化(MA),最后归纳了金属间化合物Fe3Si研究面临的主要问题,展望了今后的发展趋势。  相似文献   
2.
采用直流磁控溅射方法,在Si(100)衬底上沉积厚约200nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理,形成Fe—Si化合物薄膜,利用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对Fe—Si化合物进行表征分析,研究了退火条件对厚膜系统中Fe—Si化合物薄膜的形成、晶体结构和表面形貌的影响。  相似文献   
3.
环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响,结果表明,影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间,此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。  相似文献   
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