不同横向尺寸单层Ti3C2Tx纳米片的制备及其电化学性能研究

近年来, 一种新型二维过渡金属碳化物及氮化物(MXene)凭借大的比表面积、良好的亲水性、金属导电性等物理化学性质而广受关注。通过LiF和HCl刻蚀Ti₃AlC₂的Al层, 改变机械剥离强度和方式, 以及离心速率和时间, 可控制备出平均横向尺寸为625 和2562 nm的单层Ti₃C₂T_x型MXene。借助扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对二维Ti₃C₂T_x进行形貌、结构和成分的表征。使用电化学工作站表征Ti₃C₂T_x的电化学性能。结果表明: 小片层Ti₃C₂T_x(625 nm)的质量比电容高达561.9 F/g, 远高于文献报道的石墨烯、碳纳米管和二氧化锰等电极材料; Ti₃C₂T_x电极在循环测试10 ⁴次后, 其比电容仍保持初始96%的容量。     

硅基纳米SiC的制备及其微结构分析

在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．     

纳米氧化锌的制备及其光致发光性能研究

采用低温蒸发和气相输运方法,研制出ZnO的纳米棒－纳米钉、纳米钉类球状聚集体和具有钉状结构的纳米梳。利用透射电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌与结构进行了表征,阐明了ZnO纳米结构的生长机理。用荧光光谱仪测量了退火前后纳米棒－纳米钉结构的光致发光谱,结果显示,在380nm处两者均存在近紫外峰,在500nm处出现绿色宽谱峰,而退火2h后近紫外发光峰窄而强,且发生了少许蓝移,此现象可归因于退火后的ZnO纳米结构具有较低的点缺陷浓度。     

MXene在压力传感中的研究进展

近年来,压力传感器在智能可穿戴纺织品、健康监测、电子皮肤等领域得到了广泛应用。二维纳米材料MXene的出现,为压力传感带来了全新的突破。Ti3C2Tx是压力传感领域研究最多的MXene,具有良好的机械性能、高导电性、优异的亲水性以及广泛的可修饰性,是理想的压力传感材料。因此,近些年研究者们对MXene在压力传感器中的设计和应用进行了大量探索和研究。本文总结了MXene的制备技术和抗氧化方法。同时介绍了基于MXene的微结构设计,包括气凝胶/多孔结构材料、水凝胶、柔性衬底和薄膜。该类设计有利于提高压力传感器的响应范围、灵敏度和柔韧性,促进了压力传感器的快速发展。此外,进一步探讨了MXene压力传感器的工作机制,包括压阻式、电容式、压电式、摩擦电式、电池式和纳米流体式等。MXene以其优异的特性而在各种机制的传感器中得到了广泛应用。最后,对MXene材料的合成、性质以及其在压力传感方面的机遇和挑战进行了展望。     

氧化锡纳米带的制备和光致发光性能研究

采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理,氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能,结果显示,退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰,在375nm有一弱发光峰;退火处理后,375nm处的PL峰消失,此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。     

纳米管温度计

本文讨论了Ga/In填充纳米碳管和纳米氧化物管温度计的研制、发现、发展及前景,概述了纳米碳管温度计(测量范围为50℃～500℃)的特征、温度记录方法及In作为纳米温度计内工作物质的可能性.通过对填充Ga所具有的特殊凝固和熔化特征的回顾,阐述了Ga填充纳米碳管作为低温纳米温度计(0℃～69℃)及Ga填充纳米MgO管作为高温纳米温度计(高于700℃)的可行性.最后,讲述了采用测量Ga填充纳米碳管的电阻来标定温度的方法及如何解决纳米温度计在实际应用中存在的问题.     

铯铅卤化物钙钛矿型平面异质结LED的应用与发展

由于优异的光电性能与环境稳定性, 全无机铯铅卤化物CsPbX₃(X=Cl, Br, I)钙钛矿材料自2015年起逐渐成为光电领域的研究热点, 在诸多电子、光电子器件的应用研究中取得了突破性进展, 受到了科学界的广泛关注。本综述结合铯铅卤化物钙钛矿型平面异质结LED的最新研究进展, 对器件的结构及其工作原理进行扼要的介绍, 并着重从提高LED器件发光性能和工作稳定性方面进行优化策略的归类与总结, 最后就稳定高效的无机钙钛矿型平面异质结LED的发展趋势进行了展望。