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对近年来稀磁半导体材料的应用前景及过渡金属掺杂CdO材料的室温铁磁性研究进展进行了简单阐述。重点对不同过渡金属掺杂剂及其浓度对CdO磁性能的影响进行了介绍,并从近几年国内外研究中未掺杂、过渡金属掺杂、过渡金属共掺杂以及不同制备方法对CdO磁性能的影响及其磁性来源等方面进行了评述。概述了未掺杂和不同浓度Mn、Co单元素掺杂CdO材料对室温铁磁性的影响,并总结了近年来过渡金属掺杂CdO材料在稀磁半导体领域的研究进展。对比了不同过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的磁性能及磁性来源,并得出共掺杂工艺对提升CdO基稀磁半导体材料室温铁磁性有明显效果,最后对该领域的未来发展方向进行了展望。 相似文献
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根据一系列Al基非晶合金薄带实测数据集,应用粒子群优化支持向量回归方法(PSO-SVR),建立一个通过相关表征参数来预测Al基非晶合金晶化温度(Tx)的模型。利用该模型对不同类型铝基非晶合金的晶化温度(Tx)进行建模和预测研究,并与反向传播神经网络(BPNN)预测方法进行比较。结果表明:基于留一交叉验证法(LOOCV)的PSO-SVR模型预测的晶化温度误差要比BPNN模型预测的小得多,这说明模型中所采用的特征参数能很好地描述该系列Al基非晶合金的晶化行为和热稳定性。 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了闪锌矿结构Co掺杂ZnS体系的电子结构和磁性。通过计算掺杂后组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度,发现单个Co原子掺杂,替换超晶胞(2×2×2)中心的Zn原子后体系形成能小于0,可以实现掺杂,且在费米能级处出现自旋极化现象,体系具有半金属特性。通过对2个Co原子的掺杂情况的计算,发现Co-S-Co反铁磁耦合、Co-S-Zn-S-Co铁磁耦合时体系最稳定,同时解释了Co掺杂ZnS体系的铁磁性产生机理。 相似文献
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采用真空电弧炉熔炼法制备MnCo_(0.95)Cu_(0.05)Ge合金,并分别利用X射线衍射和物性测量系统研究了其结构、磁性和磁热效应。室温下的X射线衍射数据表明,样品呈现六角(Ni_2In型)单相结构;随着温度降低,样品发生顺磁-铁磁二级相变,其居里温度T_C约为257 K。T_C以下样品呈现强铁磁性,这主要是由次晶格Mn-Mn原子间的交换作用引起的。在T_C附近,合金样品显示了巨大的磁热效应;当外加磁场变化为2、5和7 T时,最大磁熵变分别达到了4.49、10.19和13.64 J/(kg·K),相对应的制冷量分别为103.27、249.66和347.82 J/kg。 相似文献
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