CAD软件的数字地形构建技术研究

本文以主要研究如何在CAD软件中实现数字地形的构建。首先采集地形数据,然后对采集的散乱数据进行散乱点数据插值处理,编制产生地形谱的软件,自动生成地面谱文件,由软件直接读取,生产反映真实地域地形特征的数字地形。     

衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响

本文研究了与(100)晶面错向的衬底上砷化镓液相外延层的表面形貌.随着外延层厚度的增加,先后观察到了鳞片状结构、水波纹结构和平行阶梯结构.本文对这形貌变化的机构作了讨论.我们还看到当外延层厚度是 2.1—2.2μm时,只有错向<4＇表面才光亮平整.当外延层厚到2.5-3μm时,错向<5＇即可获得光亮的表面.     

弹性弯曲支承计算机辅助设计

弹性弯曲支承,因无摩擦、无间隙而广泛的应用于陀螺仪、火箭控制喷口,精密仪器中约有数千种应用。本文偏重于它在高精度平移台及测角头中的应用,用它构成的平移台精度可达10~(-11)～10~(-12)m,测角头转角精度则可达10~(-3)s。尽管弹性弯曲支承结构简单,但设计的数学计算却很繁杂,因而我们发展了一个程序,用于设计弹性弯曲支承,同时又能设计弹性弯曲支承的精密驱动系统——杠杆系统。程序通过显示主菜单,允许选择的功能为:①杠杆系统的设计;②弹性弯曲支承的设计;③打印输出数据;④退出程序。而在设计中采用问答方式。     

用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

我们利用透射X射线形貌技术观察了 n-GaAs衬底及 GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH外延片中的晶体缺陷,并且用高分辨率形貌技术与金相技术进行了对照.证明了普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的.根据X射线形貌像,我们对n-GaAs衬底及GaAs-AlxGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷密度作出了评价. 采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器.测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷密度的评价完全对应.利用X射线形貌技术挑选出的低缺陷密度的衬底,我们获得了很多性能优良的长寿命激光器.     

重掺Te的GaAs单晶缺陷观察中的立体腐蚀

用A/B腐蚀剂在重掺Te的GaAs单晶缺陷观察中发现,可以根据金相表面的腐蚀图形定性判断出位错线与金属表面的距离。据此本文提出了“立体腐蚀”的概念,阐明了“立体腐蚀”的原理。用“立体腐蚀”的方法观察了螺旋管位错及船形坑。证明了螺旋管位错的一环或一个位错环可以对应于一个船形坑。     

A STEREO-ETCHING FOR OBSERVATION OF DEFECTS IN HEAVILY Te-DOPED GaAs CRYSTAL

用A/B腐蚀剂在重掺Te的GaAs单晶缺陷观察中发现,可以根据金相表面的腐蚀图形定性判断出位错线与金属表面的距离。据此本文提出了“立体腐蚀”的概念,阐明了“立体腐蚀”的原理。 用“立体腐蚀”的方法观察了螺旋管位错及船形坑。证明了螺旋管位错的一环或一个位错环可以对应于一个船形坑。     

在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究

ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以得到：它们的晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种．     

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．     

Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备

用XROI(X-Ray/Optics Interferometry)法测得高精度的Si(220)面间距,22.5℃为192015.902±0.019 fm.并发展了晶格常数超高精度测量传递方法.本文根据传递测量的原理及测量技术阐明了对标准晶体制备的要求.文中给出了我们的标准晶体的尺寸,一个样品晶体的测量曲线.     

用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

我们利用透射X射线形貌技术观察了n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的晶体缺陷,采用高分辨率形貌技术与金相技术进行了分析,证实普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的。根据获得的X射线形貌像,我们对n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中缺陷水平作出了评价。采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器。测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷水平的评价完全对应。