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Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响 总被引：2，自引：0，他引：2
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT); 介电测试结果表明, 1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大, 2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大, Gd掺入量>2mol%时, 薄膜的介电常数下降; 薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势, 而可逆极化值变化较小. 在弱电场下(低于矫顽场Ec), 用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律, 1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大, 说明薄膜中缺陷的浓度最低. 1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关. 相似文献
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为解决氧化锆陶瓷的难加工问题,掺入软相磷酸钙,制备出牙科CAD/CAM系统用氧化锆复合陶瓷材料,通过TEM和EADX方法研究烧结温度和磷酸钙含量对复合陶瓷显微结构和断裂方式的影响.结果表明,磷酸钙含量的增加导致瓷体致密度降低,升高烧结温度则有利于提高氧化锆复合陶瓷的致密度.高温下原料羟基磷酸钙分解生成磷酸三钙、氧化钙和水,导致磷酸钙晶粒中钙磷比例为8∶9,较初始状态降低.磷酸钙与氧化锆在陶瓷内部形成弱结合面,导致复合陶瓷断裂方式发生改变,随磷酸钙含量的增加,复合陶瓷由穿晶断裂逐渐过渡到沿晶断裂. 相似文献
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