ZnO nanoneedles fabricated by a simple approach and their optical properties

Spoke-like ZnO nanoneedles have been successfully synthesized at the ambient pressure through thermally oxidizing Zn powders containing Au nanoparticles. X-ray diffraction analysis indicates that the ZnO nanoneedles have a hexagonal wurtzite structure of the crystalline ZnO. The morphology of the products was examined by FESEM. The photoluminescenee(PL) spectrum under 325 nm exhibits both an UV emission and a green emission. It is interesting to note that the heating rate plays a key role in the synthesis of ZnO nanoneedles. Based on this discovery we propose to explain the special growth behavior as novel mechanism that a large temperature gradient and Au nanoparticles simultaneously result in the spoke-like ZnO nanoneedles growth.     

一种用于制备安德鲁反射样品的新方法

提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用.对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运.所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释.利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析.而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.     

新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应

典型的磁性隧道结是“三明治”结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成.当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变.自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80％.下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构.2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1000％,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200％的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604％的室温TMR比值.伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点.对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍.