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1.
在节能技术改造中,为了彻底解决热处理电炉大容量交流接触器线圈和触点浪费电的问题,并消除噪声,实现无声运行,我们在热处理电炉控制线路的设计上进行了探讨。从热处理电炉的结构和运行特点可知,这类设备基本上属于电阻性负载,在送电和停电的瞬间不产生大的冲击电流,在运行中对电压没有可调的要求,只有送电和断电两种状态。针对以上特点运用晶闸管交流开关的基本原理,设计了一套适用于热理电炉的晶闸管无触点开关控制线路。即用两个普 相似文献
2.
北部引嫩工程对区域的发展起到了重要的支撑作用,特别是对大庆油田石油化工生产作用巨大。为沿途市县农业生产提供了优质可靠的水源保证。 相似文献
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5.
众所周知,我们处在一个信息爆炸的年代,信息、知识日新月异,面对如此海量的信息资源,我们应该如何从中选取出我们所需要的资料,成了我们必须考虑的重要问题.搜索引擎的出现,让这一切迎刃而解.借助它,我们可以有效搜集我们所需要的资料,从而不断提高学习和工作效率. 相似文献
6.
7.
8.
研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。 相似文献
9.
在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反;X射线衍射(xRD)测试表明材料具有(220)择优晶向.在P腔室中用VHF—PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4.7%,非晶硅/微晶硅叠层电池(底电池的p层和i层在P室沉积)的效率达8.5%. 相似文献
10.
采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%. 相似文献