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用热脱附谱 (TDS)对不同表面处理的富La混合储H2 合金MlNi4 Co0 6Al0 4 粉末样品进行H2 气吸附和脱附特性的比较和研究。未经表面处理的粉末样品 ,只测到一个H2 脱附峰 (α峰 ) ,脱附温度在 40 0K左右 ;经 6molKOH溶液 ,在 80℃下处理 6h的MlNi4 Co0 6Al0 4 粉末样品 ,有 2个H2 热脱附峰 (β峰和γ峰 ) ,脱附温度分别在 5 40和 6 30K处 ;而用 6molKOH 0 0 2molKBH4 溶液处理后 ,则有 3个H2 热脱附峰 (α峰 ,β峰和γ峰 ) ,脱附温度分别在 40 0 ,5 30和 6 40K处。TDS研究表明 ,热碱加还原的处理使材料表面对H2 气吸附的活性和容量提高 ,并使各个吸附态的扩散和转变更加容易。 相似文献
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本工作研究了冰晶石光学薄膜在2KeV电子束照射下AES的变化规律。在很低照射量下发现了一个文献未曾报道过的52.5eV的峰,并确定了它是Al(L_(23))F(L_(23))F(L_(23))′的原子间Auger跃迁。测量了一些谱峰高度随照射量的变化规律,发现可以用指数型关系外推至零照射最,从而可对薄膜作出定量AES分析。此外,还讨论了冰晶石薄膜在电子束照射下破坏较快的机理。 相似文献
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利用第一性原理确定了四苯基卟啉分子的结构模型,结果表明分子中的苯环与卟吩骨架的夹角为55°,且苯环的自由旋转导致卟吩骨架略微偏离平面形状。再利用紫外光电子谱(UPS)研究了四苯基卟啉在Ru(0001)面的沉积过程,饱和沉积后出现了分子的4个特征峰。对UPS的DV-Xα分析解释了上述光电子谱中四个特征峰的物理起源。 相似文献
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本工作用HREELS和LEED对CO在室温Fe(110)面上的吸附进行了研究。HREELS的结果表明,在CO暴露量小于2L时,只有分子态的CO直立吸附于表面顶位。在暴露量大于2L时,出现了一个新的能量损失峰,其频率比分子吸附CO的CO—Fe振动频率更低,为414cm~(-1)。这是分解的CO的C吸附于表面产生的能量损失。在CO暴露量为40L时,观察到了(5×1)的CO吸附结构,在表面CO吸附接近饱和时,观察到了(2×1)结构。 相似文献
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用高分辨电子能量损耗谱(HREELS)对CO和K在W(100)面的共吸附进行了研究。发现在有K沉积的W(100)面上,代表CO分子在顶位吸附时碳氧伸缩振动频率的损耗峰由255meV向低频率方向移动,该峰在CO饱和吸附时的强度随K的覆盖度增加而减小。在有K和CO的W(100)面上,观察到了一个与K覆盖度大小有关的新的能量损耗峰,其位置在100meV左右,在CO暴露过程中,它比255meV处的损耗峰更早出现。它联系着一种CO受K影响的能量更抵的吸附状态。我们归之为“斜躺”的CO分子振动频率。当K的覆盖度增大到0.06后,CO和K在180~220meV之间形成了两个能量损耗峰,它们与CO分解后在表面形成K—O复合物的振动模式相关。 相似文献
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用热脱附谱(TDS)对不同表面处理的富La混合储H2合金MlNi4Co0.6Al0.4粉末样品进行H2气吸附和脱附特性的比较和研究。未经表面处理的粉末样品,只测到一个H2脱附峰(α峰),脱附温度在400K左右;经6molKOH溶液,在80℃下处理6h的MlNi4Co0.6Al0.4粉末样品,有2个H2热脱附峰(β峰和γ峰),脱附温度分别在540和630K处;而用6molKOH+0.02molKBH4溶液处理后,则有3个H2热脱附峰(α峰,β峰和γ峰),脱附温度分别在400,530和640K处。TDS研究表明,热碱加还原的处理使材料表面对H2气吸附的活性和容量提高,并使各个吸附态的扩散和转变更加容易。 相似文献
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随着半导体技术的不断发展,新的工艺和技术不断出现,与此同时对新工艺及其结果有足够的认识也是十分必要的。本实验就是基于这一目的,对硅器件工艺中最新采用的液相钝化膜作详细分析,为了对其结构有足够深入的了解,我们同时分析了氧离子注入氧化膜,自然氧化膜,真空室制备的氧化膜,热生长氧化膜及离子溅射氧化膜,以便比较其结构上之差别。结果发现,无论是哪一种氧化膜,其Si—SiO_2界面层都不是单纯的SiO_2,而是SiOx(1≤x≤2)。除液相钝化膜外,其他各种界面过渡层均含Si(e~-O_3)及O_2—Si结构,而且热生长氧化膜和离子溅射氧化膜的过渡层中还存在Si—Si_4原子团。 相似文献
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