负电荷泵LED驱动芯片的设计与实现

设计了一种负电荷泵低压差电流源白光LED驱动芯片.基于负电荷泵原理,消除了传统正电荷泵结构中电流调整晶体管和地焊盘的寄生电阻,电流调节模块中电流源的压降可以达到80 mV的超低压状态,降低了损耗.采用脉冲信号和使能端设计控制LED驱动电流,可在2.8～5 V工作电压内提供1.25～ 20 mA范围内16个不同的恒定驱动电流,实现LED灯的16级不同亮度的调光功能.电荷泵的输出纹波几乎不会影响LED的亮度与色差.采用CSMC 0.5 μmCMOS工艺完成了芯片的设计.流片测试结果显示,在芯片工作电压范围内,LED电流变化的最大差值为0.4 mA,测试效率达到89.3％,满足高效和稳定的应用要求.     

纳米片阵列NiO锂离子电池负极材料赝电容性能研究

采用水热法和化学浴沉积法，在碳布(CC)表面构建NiO纳米片阵列(CC/NiO)。两种方法制备的NiO均为片状立方晶型的NiO,水热法制备的NiO结晶性优于化学浴法制备的NiO。将两种方法制备的CC/NiO作为锂离子电池负极材料，测试其电化学性能。发现在2 mA/cm²的电流下经过500圈的循环后，水热法制备的CC/NiO负极材料的容量高出水浴法制备的CC/NiO负极材料近22%,表现出了优异的电化学性能。其原因主要在于水热法制备的CC/NiO纳米片生长平直并且结晶性好，使得其赝电容带来的超理论容量增加，在1.0 mV/s的扫速下赝电容占总容量的贡献为80%左右。     

三维网络结构氧化铜纳米线锂离子电池负极材料的制备和性能研究

通过阳极氧化法和后退火处理在铜箔上合成了三维网络结构氧化铜纳米线,将其作为负极材料制备了无需添加粘结剂的锂离子电池。研究了恒压氧化时间对材料形貌和电化学性能的影响。在1C的倍率下,氧化1000 s制备的CuO纳米线表现出最高的1172 mAh/g首圈放电比容量和594 mAh/g的可逆比容量,500圈循环可逆比容量为607.6 mAh/g,可逆容量保留率为102.3%。交联的三维网络结构CuO纳米线相互支撑,提供稳定的结构,有效缓解了CuO纳米线作为锂离子电池负极材料中的体积膨胀问题,表现出了优异的倍率性能和循环寿命。     

一种高性能时钟晶体振荡器电路设计

设计了一种用于时钟芯片的Pierce晶体振荡器,通过对传统结构的改进,增加了振幅控制结构和输出频率校准电路,提高了输出频率、振幅的稳定性和输出频率的精度,降低了功耗。同时对电路的工作原理进行了理论分析,电路采用CSMC 0.5 μm-5 V CMOS工艺实现,通过仿真结果验证,显示该设计达到了技术指标要求。