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对电量信号进行离散化采样时,能否对采样点领先处理一下,再进行计算。本文对多次平均法预处理信号采样点的方法进行了详细理论分析,提出使用该方法可增加系统的防噪能力 相似文献
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随着我国经济的快速发展,建筑行业迅速发展,越来越多的建筑物拔地而起,同时对于施工技术也提出了更高的要求。当前预应力混凝土技术在建筑中广泛使用,为建筑施工带来了极大的技术提升。本文阐述了后张有粘结预应力技术在建筑施工中的应用,分析了施工中存在的技术难点以及具体的施工流程,并着重分析了技术要点的控制。 相似文献
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真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果,并对其结果进行了讨论,同时还给出了测得的F—N和V—I特性曲线。 相似文献
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提出了一种T形结构的边缘场发射阴极,它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜;利用氢氟酸/硝酸/冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点,成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列(FEA);本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型,最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。 相似文献
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霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、 相似文献
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本文采用各向异性腐蚀和干-湿-干氧化锐化工艺,在n型,(100)晶向、电阻率为3~5Ωcm、3英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达15000个/mm ̄2,硅尖曲率半径小于30nm;在35V收集极电压下,单尖发出电流达0.14μA,其Ⅰ—Ⅴ曲线与F—N公式类似。 相似文献