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目前,由于各种原因,我国在不少自控设备中,仍沿用着五十年代的全电磁或继电器组成自控系统的设计原则,尽管这些继电器在材料、工艺、外型上比五十年代的产品改进了,但其对信号的"响应时间"与五十年代相比,并无多大差别.由于化学工业的 相似文献
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用低能双离子束淀积技术，在清洁的Ｓｉ衬底上外延生长出了ＣｅＯ２／Ｓｉ异质结构。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明，样品界面清晰、陡峭，无氧化硅生成，这反映了外延层Ｓｉ衬底间过渡区很窄；外延层内组成元素Ｃｅ，Ｏ分布均匀，为正化学比ＣｅＯ２相。 相似文献
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