硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

向量组线性相关性的两个问题

针对学生在求向量组的最大无关组时容易出错的情况，分析其原因并归纳出求向量组的最大无关组及用最大无关组表出其余向量的两种方法。     

一类具HollingⅢ型功能反应的捕食与被捕食系统模的极限环

研究一类具ＨｏｌｌｏｎｉｇⅢ型功能反应的食与被捕食系统模型（２）式的极限环，得到如下的主要结果：当ｋａ≤ｄ时系统在区域Ｄ＝｛（Ｘ，Ｙ）｜Ｘ≥０，ｙ≥０；ｘ，ｙ∈Ｒ｝上存在极限环，当ｋａ〉ｄ且０〈ａ１〈ａ２〈１时系统在区域Ｄ上存在的唯一稳定的极限环。     

多层Ge量子点的生长及其光学特性

用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV),Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM)为46meV,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用.     

基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,Jp=1.086kA/cm2.两种情况下,较低的PVCR可归结为GexSi1-x/Si异质结构本身的能级特性和热效应.     

SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究

在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。     

Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果.     

对变电站实现程序化操作的探讨

介绍了变电站程序化操作的概念以及其优点和作用,提出了实现变电站程序化操作对变电站设备的要求,并对广州增城供电局110kV三江数字化变电站的程序化操作实现模式进行了分析.根据工程建设和设备实际运行经验,提出了程序化操作在操作的安全性、灵活性和高效性等方面的解决方案,总结了程序化操作的运行维护管理办法,展望了变电站程序化操作的发展前景.