单根碳纳米管场致发射表面电荷分布研究

考虑碳纳米管尺寸及端帽形状,计算得到了比较精确的金属型纳米管表面电荷密度相对分布曲线。与先前的理论结果作比较,消除了曲线上的波动,曲线相对抬高,尖端附近电荷量所占比例减小。进一步研究了长度、半径和长径比对电荷密度相对分布曲线的影响,表明长度主要影响管身电荷密度相对分布,半径主要影响尖端电荷密度相对分布。在忽略其他条件影响下,长径比相同的碳纳米管,电荷密度相对分布曲线趋势完全相同。     

离子束辅助激光制备织构薄膜的计算机模拟术

在离子束辅助激光制备取向薄膜的物理机制基础上,利用计算机织构薄膜生长的物理过程,结果表明,织构薄膜的质量直接与不同取向晶粒被辅助粒子束射射掉的几率相关,这在实验中表现为与辅助离子束入射方向,离了束能量,薄膜材料种类等因素有关。     

析薄电薄膜J—V曲线温度特性的研究

用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄膜BIT／p-Si(100)和PZT／p-Si(100),借助于X－射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了薄膜的显微结构,并对这两种极薄铁电薄膜Au/BIT/p-Si(100)和Au/PZT/p-Si(100)的J－V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明,在负温区,电流密度J对温度T有较强的依赖关系,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区,服从J＝KV^2关系,ε和SCLC电流密度J则与温度T无关。     

不锈钢基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其结构分析

室温下在不锈钢基底上应用Ar⁺离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了CeO₂薄膜．研究结果表明：在合适的工艺条件下,直接在不锈钢基底上可以制备出c轴取向的CeO₂薄膜,但这时的CeO₂薄膜在其a－b平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在不锈钢基底上制备一层YSZ（Yttria－StabilizedZirconia）,再在YSZ／不锈钢上制备CeO₂薄膜,实验结果显示出这时的CeO₂薄膜不但是c轴取向,同时在其a－b平面内织构．CeO₂（202）射线φ扫描图给出其全宽半峰值为20°     

氧离子束辅助激光制备具有织构的YBCO薄膜

应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆(YSZ)缓冲层薄膜,再在YSZ/NiCr基底上在750℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜.YSZ和YBCO薄膜都为c-轴取向和平面织构的,YSZ(202)和YBCO(103)的X射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为18°和11°.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为90K(R=0)和7.9×105A/cm2(77K,零磁场).     

三吸附子STM系统图像解释研究

应用激子动力学方法描述扫描隧道显微镜隧道中电子运动的动力学行为新方案，得到了三吸附子扫描隧道显微镜系统图像解释公式的解析形式。     

钴/碳纳米管催化剂CVD法制备碳纳米管

以乙烯为碳源、多壁碳纳米管为载体负载钴作为催化剂,利用CVD法制备出了高质量的多壁碳纳米管.利用扫描电子显微镜(SEM)对催化剂的形貌进行了表征,利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)以及差热-热重(TG-DTA)方法对产物进行了表征.发现在最佳裂解温度770℃下制备的多壁碳纳米管直径分布均匀、曲率小、纯净、产率高,更重要的是不具有难处理的氧化物(如Al2O3)载体,充分体现了碳纳米管作为载体的优越性.     

硫化钨花形二维纳米晶的控制生长研究

以氧化钨为原料,硫化氢为气源在阳极氧化铝(AAO)模板基底上采用气固法制备出了硫化钨花形二维纳米晶体.采用x射线衍射(XRD)、电子透射显微镜(TEM)和场发射电子扫描显微镜(SEM)等手段对所制备的样品进行了检测分析,证实所得灰黑色产物是硫化钨单晶,片状单晶长宽约为几个微米,厚度约30nm.本文对纳米花晶体的制备、影响因素等进行了初步探讨.     

铁/碳纳米管催化剂CVD法制备碳纳米管

以乙烯为碳源,碳纳米管负载铁基为催化剂,于790℃制备了平均直径约为30 nm的多壁碳纳米管。研究了700~850℃范围内碳纳米管产物的形貌特征和纯度,并与以Al2O3负载铁基作为催化剂的产物进行了比较。利用SEM、TEM、拉曼光谱,对催化剂和产物进行了表征。发现在最佳反应温度下,两种催化剂制备的碳纳米管形貌、直径分布范围及平均直径相当,但以碳纳米管负载铁基为催化剂,产量明显提高100%,且不具有难处理的氧化物载体,纯度很高。     

氧离子束辅助激光制备具有组构的YBCO薄膜

应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆（ＹＳＺ） 缓冲层薄膜,再在 ＹＳＺ／ＮｉＣｒ基底上在 ７５０℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－Ｘ（ＹＢＣＯ）薄膜、 ＹＳＺ和 ＹＢＣＯ薄膜都为 ｃ－轴取向和平面织构的, ＹＳＺ（２０２）和 ＹＢＣＯ（１０３）的 Ｘ射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 １８＇和 １１＇．ＹＢＣＯ薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 ９０Ｋ（Ｒ＝０）和 ７．９ｘ１０５Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ,零磁场）．