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采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响.采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si-HX键,使用硅片的少子寿命表征钝化效果.结果表明:在热丝电流(两根直径为0.5 mm的钽丝的总电流)为20.5~23.5 A时,随着热丝电流增大薄膜中空位浓度逐渐增大,薄膜中氢总含量在热丝电流约22.0 A时出现峰值,而此时薄膜微观结构参数R*最小,钝化效果在约21.5A处出现峰值,对应的表面复合速率低至2.9 cm/s. 相似文献
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杨烁陈坤张衡王贵林黄海宾袁吉仁 《南昌大学学报(工科版)》2021,43(3):217-220,284
采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率.比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度(J0)和理论开压(iVOC)分别为5.12×10-15A·cm-2和0.7... 相似文献
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对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究。用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge—Ge、Ge—Si和Si—Si)相对含量的变化和极性键(Ge—H、Ge—H2、Si—H等H键)相对含量的变化进行了分析。研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的。热丝温度和锗烷硅烷流量比(RS/G)对非极性键相对含量的变化均有影响。随着热丝温度上升Ge—Si和Si—Si相对含量均增加。随着RS/G增加Si—Si相对含量一直增加,Ge—Si相对含量先增加,当RS/G1.4时开始下降。但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si—H键的相对含量增加,Ge—H和Ge—H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响。 相似文献
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热丝CVD法低温制备的多晶硅薄膜质量对衬底依赖性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和傅里叶红外(FT-IR)吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,用SEM观察了多晶硅薄膜的表面形貌。研究发现在4种衬底上生长的多晶硅薄膜均为(111)择优取向。单晶硅片对多晶硅薄膜有很强的诱导作用,并且Si(111)的诱导作用优于Si(100)的诱导作用。AZO对多晶硅薄膜生长也有一定的诱导作用。通过计算薄膜晶态比,得到除以石英为衬底的样品外,其它3种样品的晶态比均在90%以上,尤其以单晶硅片为衬底的样品更高。石英玻璃、AZO和Si(100)上生长的多晶硅薄膜中均存在压应力。 相似文献
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太阳电池在发电运行时大部分时间处于不同斜入射辐照条件,然而太阳电池及其组件的输出功率参数都是在垂直入射辐照下测量并成为衡量其发电能力的标准。对不同类型绒面的太阳电池,用这样的标准来衡量比较其实际发电运行输出可能会产生出入。通过对金字塔型绒面的单晶硅太阳电池与球窝型绒面的多晶硅太阳电池在斜入射光照时的光反射情况和两种类型组件的实际发电情况进行理论分析和实验测量,得到以下结论:按照现行标准测量结果标称输出性能,多晶硅太阳电池的实际运行发电能力相对于单晶硅太阳电池而言被略为低估了,但低估程度小于3%。一般而言,各种减反射手段所优化的实际是垂直入射辐照条件下的发电输出结果,其实际运行发电效果增益并不如标准测量结果所显示的那么大。 相似文献
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对铜常温发黑新工艺的改进 总被引:1,自引:1,他引:0
1前言表面发黑技术广泛用于各种金属制品的表面防腐及装饰,常温发黑技术具有节能、高效、操作简单、成本低、环境污染小的特点。目前研究向硒铜、硒铜磷系发展[1]。铜制品常温发黑工艺主要优点是不需加热,可大大降低能耗,所用设备也十分简单,处理速度快,一... 相似文献
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电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液,采用两电极体系在SnO2;F(FTO)片和p-Si(100)衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜.用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构,晶粒尺寸和光吸收特性.发现薄膜的(002)衍射峰强度随着沉积电压的增加而显著增强;薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构,且基本与衬底垂直,晶粒尺寸为200~400 nm;薄膜的光学禁带宽度为3.34 eV.光照时,ZnO/Si异质结二极管呈明显的光生电流效应. 相似文献