环渤海经济圈外资利用存在的问题及对策研究

外资对环渤海地区的经济发展做出了重大贡献，但在引进利用外资的过程中也出现了资本效应﹑技术溢出效应低，外资利用的产业投向助推当地产业结构失衡，外资耗能引起环境压力加大等一系列问题，本文在分析上述问题的基础上提出了一些对策建议，对环渤海地区经济的健康发展起到了积极的促进作用。     

高校图书馆信息公平探析

信息公平是人们面对信息资源的获取和分配过程所产生的价值期望.构建公平成为图书馆在新时期的价值取向.面对目前高校图书馆的信息不公平现象,我们应创新读者服务机制,营造信息公平氛围,更好地为读者服务.     

Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线

通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2P3薄膜制备GaN纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和能量弥散X射线谱(EDX)的分析结果表明,采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,纳米线的直径大约在60～100nm之间,纳米线的长约十几个微米.EDX分析表明纳米线掺杂了镁.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现由于镬的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

氨化温度对氨化Si基Ga2O3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理.研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃.     

用于现场测试的多台恒温油槽并发控制方法研究

介绍了一种用于现场测试的多台恒温油槽并发控制方法,可同时对现场多台恒温油槽进行控制,并经过现场试验,验证了该控制方法在800 m以内对6台恒温油槽同时进行实时控制,控制响应时间小于2 s,集中控制方式大大提升了现场检测的工作效率。     

氨化Si基Ga2O3/V薄膜制备GaN纳米线

为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.     

fF量级在片小电容定标方法及不确定度评定

文章根据集成电路在片测试系统的组成结构和工作原理,以研制的集成电路fF （飞法）级在片小电容标准样片为基础,设计并制备了10 fF～500 fF系列在片小电容标准样片,处于国内领先水平。在有效减小电缆、探针影响的同时,研建了集成电路在fF级片小电容定值装置,研究了集成电路fF级在片小电容定标方法及不确定度评定。该方法可用于14 nm以下集成电路FinFET、 GGAFET器件及碳纳米管等新结构、新原理器件的研发过程中,确保超先进工艺制程研发中小于1 pF量级在片电容量值的准确可靠。     

化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒

采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.