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现有的高斯噪声信号发生器都是采用数学计算的方式生成随机数的,这种方式不能实现真正的随机信号,与实际噪声信号不符。本文提出基于量子随机数的高斯噪声信号发生器,通过单光子探测器对选择路径的光子信号的探测作为随机数的来源,实现基于真随机的高斯噪声信号发生器。将得到的随机数经过WGN高斯算法处理得到高斯噪声信号,在FPGA中使用verilog语言实现。对产生的噪声信号进行幅度谱和功率谱分析,结果表明产生的噪声信号幅度值在0~255之间变化,幅度谱服从高斯分布,噪声信号的功率谱在20dB上下均匀波动,服从均匀分布,满足高斯白噪声的特性。与现有的噪声信号发生器相比,基于量子随机数的实现方式,其随机数来源清晰,能够做到真正的随机性,为实现真随机数的高斯噪声信号发生器提供了一种简易的方案。 相似文献
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碳纳米管(CNT)和衬底的电学接触问题是获得高性能CNT电子器件的一个关键性的问题。本文采用电泳电镀方法制备CNT冷阴极,有效改善了CNT与衬底间接触电阻,增强了碳纳米管场发射性能。电泳电镀法制备的碳纳米管冷阴极场发射的开启电场(电流密度为10μA.cm-2时的电场)由2.95 V.μm-1降低到1.0V.μm-1,在电场为8V.μm-1时电流密度由0.224增加到0.8112mA.cm-2。在电流密度为800μA.cm-2时进行1h的场发射稳定性测试,结果表明,电泳电镀法所得CNT场发射电子源电流密度几乎不变,而且电流密度比较稳定;而只有电泳的方法获得的CNT场发射电子源电流密度波动较大,电流不稳定且呈较快的衰减趋势,1h后减少到原来的75%。采用电泳电镀方法制备CNT阴极,CNT的根部被纳米银颗粒覆盖和包裹,使CNT与衬底接触更加牢固而紧密,又由于银具有很好的导电性,从而大大减小了接触电阻,因此电泳电镀法能大大改善CNT与衬底的电学接触性能。 相似文献
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Based on the principles of metal-semiconductor-metal Schottky barrier photodetectors(MSM-PD), using the carrier rate equations,the circuit simulation model of a GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector is constructed through an appropriately equivalent process.By using the Pspice analytical function of Cadence soft on the model,the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under different UV light powers is analyzed.The result shows that under the given UV power,the photocurrent increases and tends to become saturated gradually as the terminal voltage of the device increases,and that under different UV powers,the photocurrent increases with increasing incident power.Then the analysis of the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under the different ratios of interdigital electrode space and width is carried out when the UV power is given.The results show that when the ratio of interdigital electrode space and width(L/W) equals 1,the photocurrent tends to be at a maximum. 相似文献
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Based on the principles of metal-semiconductor-metal Schottky barrier photodetectors(MSM-PD), using the carrier rate equations,the circuit simulation model of a GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector is constructed through an appropriately equivalent process.By using the Pspice analytical function of Cadence soft on the model,the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under different UV light powers is analyzed.The result shows that under the given UV power,the photocurre... 相似文献
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为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件. 相似文献
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采用溶胶 -凝胶法与低温燃烧法相结合 ,合成了 (CeO2 ) 0 .9-x(GdO1 .5 ) x(Sm2 O3) 0 .1 系列粉体 .结果表明 :由硝酸盐与柠檬酸混合形成的凝胶 ,可在较低温度 (2 0 0~ 3 0 0℃ )点火并燃烧 ,其火焰温度达 90 0℃以上 .经TEM ,XRD测试 ,燃烧后即直接形成了粒径为 2 0~ 3 0nm ,具有萤石结构的单相粉体 ,由该粉体制备的固体电解质在中温下电导率为 5 .8× 10 - 2 S/cm ,组装的单个H2 -O2 燃料电池最大功率密度达 70mW /cm 相似文献
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