无机絮凝剂对渣土废泥浆脱水效果影响

针对地铁盾构出来的大量渣土废泥浆污染环境,不便施工的现状,本文将渣土废泥浆作为研究对象,通过沉降速率、浊度以及絮体大小等指标研究无机絮凝剂(氢氧化钙、氯化铁以及两者的复掺)对渣土废泥浆絮凝效果影响.研究结果表明:(1)含水率为99%的渣土废泥浆,单掺氢氧化钙、氯化铁的最佳掺量分别为0.32%、1.70%;复掺时最佳掺量分别为0.18%、1.30%;(2)含水率为98%的渣土废泥浆,单掺氢氧化钙、氯化铁的最佳掺量分别为0.36%、2.50%;复掺时最佳掺量分别为0.24%、1.50%;(3)含水率为97%的渣土废泥浆,单掺氢氧化钙、氯化铁的最佳掺量分别为0.38%、4.30%;复掺时最佳掺量分别为0.23%、1.00%.     

渣土对 C30混凝土性能的影响

针对天津地铁盾构施工生产的渣土大量堆砌、利用率和附加值低的现状,将渣土作为矿物掺合料,研究了不同渣土掺量对C30混凝土工作性能、力学性能和抗渗性能影响。结果表明：（1）随着渣土掺量增加,混凝土坍落度呈现逐渐降低趋势;（2）掺加渣土后,混凝土抗压强度均低于基准组,当渣土掺量为10％时,其28 d抗压强度与基准组抗压强度相近;（3）适量渣土掺量可以改善C30混凝土抗渗性能,当渣土掺量为水泥的15％时,抗渗性能最佳。     

哈大客运专线T1标32mT梁抗拔型静载试验反力架设计和应用

哈大客专线T1标段32m T梁在现场预制,为保证T梁预制质量,检验T梁的承载能力,需要对现场预制的T梁进行静载试验。T梁静载试验采用抗拔型反力架。结合反力架基本原理,进行抗拔桩、连接杆和反力横梁等设计,并通过摩阻力试验验证抗拔桩承载能力。指出了施工中的注意事项,保证反力架有良好工作性能。     

800密度等级的渣土陶粒制备及性能研究

为进一步促进城市渣土资源化利用,本文研制了800密度等级,粒径不同(10~15 mm,15~25 mm)的渣土陶粒.探究了原料配方、烧制工艺对渣土陶粒性能的影响规律,同时采用超景深光学显微镜和扫描电镜对渣土陶粒的微观结构进行了分析.研究结果表明:(1)渣土:粉煤灰质量配比为75∶25时,预热温度500 ℃,预热时间20 min,焙烧时间15 min,焙烧温度1190 ℃下,可制备出不同粒径(10~15 mm,15~25 mm)的800密度等级渣土陶粒;(2)15~25 mm粒径的渣土陶粒,筒压强度为4.6 MPa,堆积密度729 kg/m3,表观密度1329 kg/m3,1 h吸水率为1.7%,烧失量1.4%;10~15 mm粒径的渣土陶粒,筒压强度为5.2 MPa,堆积密度760 kg/m3,表观密度1483 kg/m3,1 h吸水率为1.6%,烧失量1.4%;(3)不同粒径下的渣土陶粒微观结构均比较疏松,其中小粒径渣土陶粒内部结构相比大粒径较疏松,孔隙较多,孔径较大.     

有机-无机复掺絮凝剂对渣土废泥浆脱水效果影响

针对地铁盾构出来的大量渣土废泥浆污染环境,不便施工的现状,本文将渣土废泥浆作为研究对象,通过上清液浊度、絮体含水率以及絮体大小等指标研究有机-无机复掺絮凝剂对渣土废泥浆絮凝效果影响.研究结果表明:(1)含水率为99%的渣土废泥浆,复掺PAC和APAM、PAC和CPAM的最佳掺量分别是0.02%+2.0×10-4%、0.02%+5.0×10-4%;(2)含水率为98%的渣土废泥浆,复掺PAC和APAM、PAC和CPAM的最佳掺量分别是0.06%+7.0×10-4%、0.06%+9.0×10-4%;(3)含水率为97%的渣土废泥浆,复掺PAC和APAM、PAC和CPAM的最佳掺量分别是0.12%+7.0×10-4%、0.12%+1.4×10-3%.     

GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展

相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一,是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器,HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O,使其表现出n型半导体特性,但载流子浓度高和电导率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质,综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展;对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性...